エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1993/11/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1993/11/25
[資料番号]
目次

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[発表日]1993/11/25
[資料番号]
選択CVD-W電極を用いたSiGeベースHBTのプロセス技術と特性解析

宇賀神 守,  国井 泰夫,  桑垣 衛,  小中 信典,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-129,ICD93-123
0.5μmバイポーラデバイス : SST1C

山口 力,  小林 由治,  三宅 雅保,  石井 清,  市野 晴彦,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-130,ICD93-124
0.5μmバイポーラデバイス : SST1C

大崎 勝彦,  朝本 憲昭,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-131,ICD93-125
0.5μm高速ROMマクロセル

柴田 信太郎,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-132,ICD93-126
活性化領域に埋め込まれたフローティング・ゲートを有するセルの特性 : メモリー・セルの製法とその電気的特性

山岸 万千雄,  窪田 通孝,  島ノ江 宗治,  田中 陽,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-133,ICD93-127
3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル

加藤 正高,  足立 哲生,  田中 利広,  佐々木 敏夫,  久米 均,  大路 譲,  牛山 雅弘,  西田 高,  宮本 直樹,  佐伯 俊一,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-134,ICD93-128
RTA処理したスパッタPZTの薄膜化と不揮発特性

山内 智,  吉丸 正樹,  伊野 昌義,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-135,ICD93-129
強誘電体薄膜のNDRO不揮発性メモリ応用への研究

中村 孝,  中尾 雄一,  干場 一博,  鮫島 克己,  神澤 公,  高須 秀視,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-136,ICD93-130
強誘電体メモリーデバイスの開発・評価

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[発表日]1993/11/25
[資料番号]
高集積DRAM用CVD-Ta_2O_5キャパシタ技術

中田 昌之,  平山 美鈴,  大路 譲,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-138,ICD93-132
21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ

酒井 芳男,  伊野 昌義,  大路 譲,  堀口 文男,  山田 順三,  赤塚 泰生,  喜多川 儀久,  曽根田 光生,  

[発表日]1993/11/25
[資料番号]SDM93-139,ICD93-133
[OTHERS]

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[発表日]1993/11/25
[資料番号]