エレクトロニクス-光エレクトロニクス(開催日:1997/01/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/1/16
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/1/16
[資料番号]
ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御

三輪 司郎,  郭 立信,  木村 康三,  安田 哲二,  大竹 晃浩,  八百 隆文,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-129,LQE97-127
ZnSe系多重量子井戸および量子細線の作製と光学的特性

林 茂生,  真鍋 由雄,  棚橋 一郎,  任田 隆夫,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-130,LQE97-128
II-VI及びIII-V青色レーザ結晶中の深い欠陥準位

安東 孝止,  山口 勉,  笠田 洋文,  吉田 寛,  土道 淳一,  奥野 洋一,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-131,LQE97-129
ZnMgSSe系レーザダイオードの結晶成長と評価

奥山 浩之,  石橋 晃,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-132,LQE97-130
InGaNのMOVPE成長における熱力学解析

纐纈 明伯,  関 壽,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-133,LQE97-131
昇華法によるバルクGaNの核発生制御

倉井 聡,  和田 康一,  西野 克志,  酒井 士郎,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-134,LQE97-132
MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価

川口 靖利,  清水 誠也,  平松 和政,  澤木 宣彦,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-135,LQE97-133
GaNの極微細構造の成長とAIGaNのシャッター制御法によるAI組成制御

森 雅士,  吉澤 正樹,  藤田 信彦,  菊池 昭彦,  岸野 克巳,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-136,LQE97-134
GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討

本田 徹,  五月女 耕二,  白澤 智恵,  森 美由紀,  持田 宣晃,  井上 彰,  坂口 孝浩,  小山 二三夫,  伊賀 健一,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-137,LQE97-135
III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性

天野 浩,  竹内 哲也,  曽田 茂稔,  酒井 浩光,  赤崎 勇,  

[発表日]1997/1/16
[資料番号]OPE96-138,LQE97-136
[OTHERS]

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[発表日]1997/1/16
[資料番号]