| 講演名 | 1997/1/16 GaNの極微細構造の成長とAIGaNのシャッター制御法によるAI組成制御 森 雅士, 吉澤 正樹, 藤田 信彦, 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | 我々はRFラジカル窒素源を用いたRF-MBE法によりサファイア基板上への窒化物半導体極微細量子構造デバイスの作製を目指した研究を行っている。本報告では結晶成長条件を制御することにより、基板に垂直な軸を持ち、互いに独立かつ太さの均一な柱状GaN微細構造が再現性良く成長可能であることを見い出し、その形状の窒素流量およびRF入力電力依存性を調べた。柱状GaNの直径は最小径が53nmであった。次に、MBE法によるデバイス作製上有効な手法となり得る超短周期GaN/AIN超格子構造による擬似AIGaN三元混晶の組成制御と同手法を用いたGaN/AIGaN/AIGaN-SCH構造の試作を行った。 |
| 抄録(英) | III-Nitrides were grown on sapphire substrate by molecular beam epitaxy (MBE) using RF-radical nitrogen sources. First, we demonstrated the growth of III-Nitrides-nano-structures which have uniform column figure (nano-columns) keeping c-axis perpendicular to a substrate surface. Its dependency on nitrogen flow rate and RF-input power were investigated respectively. The minimum column diameter of 53nm was formed. Next, we controlled AI contents in AIGaN quasi ternary alloy consisted of GaN/AIN short period binary super lattice using the shutter control method. And then, we fabricated GaN/AIGaN/AIGaN-SCH structures using this method. |
| キーワード(和) | RF-MBE法 / 柱状GaN / SEM観察 / シャッター制御法 / 疑似三元混晶 |
| キーワード(英) | RF-MBE / GaN-nano-columns / SEM / shutter control method / quasi-ternary |
| 資料番号 | OPE96-136,LQE97-134 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1997/1/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNの極微細構造の成長とAIGaNのシャッター制御法によるAI組成制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN nano-structure and shutter control of AI content in AIGaN grown by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RF-MBE法 / RF-MBE |
| キーワード(2)（和/英） | 柱状GaN / GaN-nano-columns |
| キーワード(3)（和/英） | SEM観察 / SEM |
| キーワード(4)（和/英） | シャッター制御法 / shutter control method |
| キーワード(5)（和/英） | 疑似三元混晶 / quasi-ternary |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 雅士 / Masashi MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉澤 正樹 / Masaki YOSHIZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 信彦 / Nobuhiko FUJITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 発表年月日 | 1997/1/16 |
| 資料番号 | OPE96-136,LQE97-134 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 444 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |