エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2008/01/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/1/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/1/9
[資料番号]
GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

板垣 圭一,  中島 敦,  堀尾 和重,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-206,MW2007-137
電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

塩崎 奈々子,  橋詰 保,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-207,MW2007-138
熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

丸井 俊治,  星 真一,  森野 芳昭,  伊藤 正紀,  玉井 功,  戸田 典彦,  大来 英之,  佐野 芳明,  関 昇平,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-208,MW2007-139
W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

佐野 博昭,  宇井 範彦,  佐野 征吾,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-209,MW2007-140
C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

山中 宏治,  大塚 浩志,  森 一富,  能登 一二三,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-210,MW2007-141
10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

西原 信,  山本 高史,  井上 和孝,  西 眞弘,  佐野 征吾,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-211,MW2007-142
CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

村瀬 康裕,  分島 彰男,  井上 隆,  山之口 勝己,  田能村 昌宏,  中山 達峰,  岡本 康宏,  大田 一樹,  安藤 裕二,  黒田 尚孝,  松永 高治,  宮本 広信,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-212,MW2007-143
10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

柴田 大輔,  上本 康裕,  柳原 学,  石田 秀俊,  永井 秀一,  松尾 尚慶,  / 上田 哲三,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-213,MW2007-144
デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

菊池 潤,  佐藤 久恭,  石原 昇,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-214,MW2007-145
広帯域BPSK CMOS復調回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

新井 康之,  菊池 潤,  氏家 隆一,  柴田 賢一,  平間 哲也,  佐藤 久恭,  石原 昇,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-215,MW2007-146
ミリ波帯4次高調波形低スプリアスイメージリジェクションミクサ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

川上 憲司,  西田 和広,  檜枝 護重,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-216,MW2007-147
LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

楊 富穎,  野崎 眞次,  内田 和男,  小泉 淳,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-217,MW2007-148
高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

柏尾 典秀,  栗島 賢二,  深井 佳乃,  山幡 章司,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-218,MW2007-149
無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

山本 和也,  宮下 美代,  久留須 整,  小川 喜之,  紫村 輝之,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-219,MW2007-150
2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

宮下 美代,  奥田 敏雄,  久留須 整,  島村 将一,  小西 晋輔,  宇土元 純一,  松下 良,  佐々木 善伸,  鈴木 敏,  三浦 猛,  高原 良雄,  小丸 真喜雄,  山本 和也,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-220,MW2007-151
p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

播磨 史生,  尾藤 康則,  高橋 英匡,  岩田 直高,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-221,MW2007-152
アクティブフェイズドアレイアンテナ用小型高出力増幅器の試作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

川井 重明,  川崎 繁男,  清田 春信,  篠原 真毅,  三谷 友彦,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-222,MW2007-153
2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

福田 健志,  根来 昇,  宇治田 信二,  永井 秀一,  西嶋 将明,  酒井 啓之,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]2008/1/9
[資料番号]ED2007-223,MW2007-154
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