| 講演名 | 2008-01-16 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 丸井 俊治, 星 真一, 森野 芳昭, 伊藤 正紀, 玉井 功, 戸田 典彦, 大来 英之, 佐野 芳明, 関 昇平, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面保護膜に用いるプロセスを開発した。熱CVD成長SiN膜は一般的にPE-CVD成長SiN膜と比べて水素含有量が少なく高密度であり、成長前に800℃のNH_3ガスによるAlGaN表面クリーニングが可能であることからAlGaN表面の改善に効果があるものと期待される。実験の結果、熱CVD成長SiN膜を用いることによってゲートリーク電流、電流コラプスの抑制効果が確認された。 |
| 抄録(英) | In AlGaN/GaN HEMTs, we used a thermal CVD SiN surface passivation film for suppressing the current collapse due to AlGaN surface level. We expected that the AlGaN surface state could be improved by the thermal CVD passivation film because of its low hydrogen content and high density. NH_3 surface cleaning of 800℃ before SiN film deposition is also effective for improving AlGaN surface state. In this study we investigated the effect of the passivation film's quality on the electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs. As a result of our experiment, we found that gate leakage current and current collapse was suppressed by using the thermal CVD SiN passivation film. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / PE-CVD / thermalCVD / SiN / 電流コラプス |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / PE-CVD / thermal CVD / SiN / current collapse |
| 資料番号 | ED2007-208,MW2007-139 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2008/1/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of a thermal CVD SiN passivation film on electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | PE-CVD / PE-CVD |
| キーワード(4)（和/英） | thermalCVD / thermal CVD |
| キーワード(5)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(6)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丸井 俊治 / Toshiharu MARUI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星 真一 / Shinichi HOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森野 芳昭 / Yoshiaki MORINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 正紀 / Masanori ITOH |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 玉井 功 / Isao TAMAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 戸田 典彦 / Fumihiko TODA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大来 英之 / Hideyuki OKITA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 佐野 芳明 / Yoshiaki SANO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 関 昇平 / Shohei SEKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部 Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2008-01-16 |
| 資料番号 | ED2007-208,MW2007-139 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 421 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |