エレクトロニクス-集積回路(開催日:2018/04/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法

鈴木 峻(中大),  出口 慶明(中大),  中村 俊貴(中大),  溝口 恭史(中大),  竹内 健(中大),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]ICD2018-1
[招待講演]メモリズムプロセッサによる人工知能の課題解決

井上 克己(エイ・オー・テクノロジーズ),  範 公可(電通大),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]ICD2018-6
ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化

松井 千尋(中大),  竹内 健(中大),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]ICD2018-2
[Invited Talk] Low power Deep Learning hardware using emerging analog non-volatile memory

カタエヴァ イリナ(デンソー),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]
[招待講演]深層学習ハードウェアのためのカオスボルツマンマシンのVLSI実装

森江 隆(九工大),  山口 正登志(九工大),  川島 一郎(九工大),  田向 権(九工大),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]ICD2018-4
[招待講演]NVIDIAのAI用最新GPU技術のご紹介

馬路 徹(NVIDIA),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]
[招待講演]アナログ型抵抗変化ニューロデバイス・システムのソフト・ハード一体型研究開発

秋永 広幸(産総研),  島 久(産総研),  内藤 泰久(産総研),  浅井 哲也(北大),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]ICD2018-5
[招待講演]データの価値判断に基づいた高信頼SSDシステム

竹内 健(中大),  

[発表日]2018-04-19
[資料番号]ICD2018-3
[Invited Talk] A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology

前嶋 洋(東芝メモリ),  神田 和重(東芝メモリ),  藤村 進(東芝メモリ),  高際 輝男(東芝メモリ),  小澤 進(東芝メモリ),  佐藤 順平(東芝メモリ),  進藤 佳彦(東芝メモリ),  佐藤 学(東芝メモリ),  金川 直晃(東芝メモリ),  武者 淳二(東芝メモリ),  井上 諭(東芝メモリ),  櫻井 克彰(東芝メモリ),  橋本 寿文(東芝メモリ),  Hao Nguyen(ウェスタンデジタル),  Ken Cheah(ウェスタンデジタル),  菅原 寛(ウェスタンデジタル),  Seungpil Lee(ウェスタンデジタル),  久田 俊記(東芝メモリ),  金子 哲也(東芝メモリ),  中村 寛(東芝メモリ),  

[発表日]2018-04-20
[資料番号]ICD2018-10
[招待講演]情報セキュリティのためのランダム回路

篠原 尋史(早大),  

[発表日]2018-04-20
[資料番号]ICD2018-11
[依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例

澤田 陽平(ルネサス エレクトロニクス),  山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス),  長谷川 拓実(ルネサス エレクトロニクス),  新川田 裕樹(ルネサス エレクトロニクス),  藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  篠崎 義弘(日本システムウエア),  伊東 恭二(日本システムウエア),  田中 信二(ルネサス エレクトロニクス),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  蒲原 史郎(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2018-04-20
[資料番号]ICD2018-8
[招待講演]結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI

小山 潤(半導体エネルギー研),  関 貴子(半導体エネルギー研),  八窪 裕人(半導体エネルギー研),  大下 智(半導体エネルギー研),  古谷 一馬(半導体エネルギー研),  石津 貴彦(半導体エネルギー研),  熱海 知昭(半導体エネルギー研),  安藤 善範(半導体エネルギー研),  松林 大介(半導体エネルギー研),  加藤 清(半導体エネルギー研),  奥田 高(半導体エネルギー研),  藤田 昌宏(東大),  山﨑 舜平(半導体エネルギー研),  

[発表日]2018-04-20
[資料番号]ICD2018-12
[Invited Lecture] A new core transistor equipped with NVM functionality without using any emerging memory materials

谷口 泰弘(フローディア),  吉田 省史(フローディア),  大和田 福夫(フローディア),  品川 裕(フローディア),  葛西 秀男(フローディア),  リン ジア ヨウ(力晶科技),  ウェイ イ スアン(力晶科技),  岡田 大介(フローディア),  長沢 幸一(フローディア),  奥山 幸祐(フローディア),  

[発表日]2018-04-20
[資料番号]ICD2018-7
[依頼講演]同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減

横山 佳巧(REL),  石井 雄一郎(REL),  奥田 治之(REL),  新居 浩二(REL),  

[発表日]2018-04-20
[資料番号]ICD2018-9
[招待講演]メモリベースド・リコンフィギャラブルロジックデバイスの検討と開発

大原 衛(都立産技研センター),  佐藤 正幸(TRL),  岡部 忠(都立産技研センター),  勝 満徳(TRL),  

[発表日]2018-04-20
[資料番号]ICD2018-13