エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2004/06/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]
Advanced Compound Semiconductor Technologies for Commerical Wireless Applications(Session A5 Compound Semiconductor Devices II)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-73,SDM2004-85
新しい4RTD論理回路(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

山田 英明,  和保 孝夫,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-74,SDM2004-86
Characteristics of InGaAsP/InGaAs MQW-LD with Asymmetric Separate Confinement Heterostructure(Session A5 Compound Semiconductor Devices II)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-75,SDM2004-87
Effects of ion beam current density and substrate temperature on damage generation and activity in Si implanted GaAs.(Session A5 Compound Semiconductor Devices II)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-76,SDM2004-88
高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

宮本 広信,  安藤 裕二,  岡本 康宏,  中山 達峰,  幡谷 耕二,  井上 隆,  千田 昌伸,  平田 宏治,  小嵜 正芳,  柴田 直樹,  葛原 正明,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-77,SDM2004-89
Studies of AlGaN/GaN HEMTs on 4-inch Silicon substrate(Session A6 Compound Semiconductor Devices III)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-78,SDM2004-90
薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

橋詰 保,  アナンタタナサン サグァン,  佐野 栄一,  長谷川 英機,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-79,SDM2004-91
High Density FRAM for Next Generation Mobile Electronics(Session B5 Si-Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-80,SDM2004-92
界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

濱田 龍文,  寺本 章伸,  赤堀 浩史,  二井 啓一,  諏訪 智之,  平山 昌樹,  大見 忠弘,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-81,SDM2004-93
Thermally Robust Nickel Silicide Process Technology for Nano-Scale CMOS Technology(Session B5 Si-Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-82,SDM2004-94
Boron Penetration study of P channel Power MOSFET for Low Gate Driving Application(Session B5 Si-Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-83,SDM2004-95
ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

徳光 永輔,  宮迫 毅明,  妹尾 賢,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-84,SDM2004-96
Nanoscale SONOS Flash Memories(Session B6 Si-Devices II)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-85,SDM2004-97
Characterization of Hot Carrier Mechanism of Nano-Scale CMOSFETs(Session B6 Si-Devices II)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-86,SDM2004-98
Poly-Si/SiGe/Si積層ゲートにおける原子拡散評価(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

村上 秀樹,  森脇 嘉一,  藤竹 正仁,  東 大介,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-87,SDM2004-99
SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

木本 恒暢,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-88,SDM2004-100
水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

梅沢 仁,  平間 一行,  佐藤 充也,  川原田 洋,  

[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-89,SDM2004-101
Low On-Voltage Operation GaN Based Field Effect Schottky Barrier Diode(Session A7 High Power Devices)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

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[発表日]2004/6/24
[資料番号]ED2004-90,SDM2004-102
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