| 講演名 | 2004/6/24 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 橋詰 保, アナンタタナサン サグァン, 佐野 栄一, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | 10nm以下の薄い障壁層を持つAl_<0.2>Ga_<0.8>N/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のゲート制御を目的として、Alの分子線堆積とプラズマ酸化プロセスによりAlGaN表面にAl_2O_3膜を形成し、絶縁ゲート構造を作製した。通常のNiショットキー接合ゲートHFETでは、非常に大きなゲートリークにより、正ゲートバイアス領域でのドレイン電流制御は困難であった。一方、Al_2O_3絶縁ゲートHFETでは、V_ |
| 抄録(英) | An AI_20_3 insulated-gate (IG) structure was utilized for controlling the surface potential and suppressing the gate leakage in Al_<0.2>Ga_<0.8>N/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having thin AlGaN barrier layers (less than 10 nm). In comparison with Schottky-gate devices, the Al_2O_3 IG device showed successful gate control of drain current up to V_ |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / Al_2O_3 / HFET / 絶縁ゲート / ノーマリオフ |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / Al_2O_3 / HFET / insulated gate / normally-off |
| 資料番号 | ED2004-79,SDM2004-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al_2O_3-gate controlled AlGaN/GaN HFETs having thin AlGaN barrier layers(Session A6 Compound Semiconductor Devices III)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | 絶縁ゲート / insulated gate |
| キーワード(6)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | アナンタタナサン サグァン / Sanguan Anantathanasarn |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐野 栄一 / Eiichi Sano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki Hasegawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2004/6/24 |
| 資料番号 | ED2004-79,SDM2004-91 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 153 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |