エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1997/07/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/7/15
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/7/15
[資料番号]
分析電子顕微鏡を用いた半導体材料の局所構造解析

大塚 祐二,  川野 健司,  山本 智彦,  谷井 義治,  堀井 誠一郎,  村田 幸夫,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-75
非接触原子間力顕微鏡による化合物半導体の原子分解能観察

森田 清三,  菅原 康弘,  内橋 貴之,  上山 仁司,  塚本 貴広,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-76
ケルビンプローブ力顕微鏡を用いた半導体デバイス・プロセス評価

谷本 正文,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-77
UHV-BEEMによって観たAu/CaF_2/Si(111)界面のナノ構造

角谷 透,  三浦 忠男,  田中 俊一郎,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-78
電気化学STMを用いたGaAs表面観察と局所加工

奥村 次徳,  兼城 千波,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-79
シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー

原 謙一,  大泊 巌,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-80
電子線誘起金属膜堆積による微小MIMトンネル接合形成

古室 昌徳,  廣島 洋,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-81
自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成

粟野 祐二,  佐久間 芳樹,  杉山 芳弘,  島 昌司,  Strutz T.,  Wirner C.,  横山 直樹,  

[発表日]1997/7/15
[資料番号]ED97-82
[OTHERS]

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[発表日]1997/7/15
[資料番号]