講演名 1997/7/15
電気化学STMを用いたGaAs表面観察と局所加工
奥村 次徳, 兼城 千波,
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抄録(和) 電解液中でSTM探針により, GaAs表面を5-10nmのオーダでコントロールしてエッチングできることを示した. このエッチングはNiイオンを含むめっき液中でも同様にして行うことができる. 局所的な電解エッチングのメカニズムを検討し, STM探針からn-GaAs表面への正孔注入によるものであることを明らかにした. また, めっき液中においては, 鏡像電荷を誘起する方法を用いて, STM探針直下に金属をドットの形で電解析出させることもできる.
抄録(英) Controllable etching of n-GaAs has been successfully achieved in acidic solutions with and without Ni ions by using an electrochemical scanning tunneling microscope(STM). The realized features were as small as 10 nm. The experimental results indicate that the hole injection from an STM tip is responsible for the local etching of n-GaAs suffaces. In the same solution, Ni islands of a submicron size were deposited on GaAs beneath the STM tip.
キーワード(和) GaAs / 電気化学STM / ナノメータ加工 / 局所エッチング / 局所電解析出
キーワード(英) GaAs / electrochemical STM / nanofabrication / local etching / local electrodeposition
資料番号 ED97-79
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1997/7/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電気化学STMを用いたGaAs表面観察と局所加工
サブタイトル(和)
タイトル(英) Nanofabrication of n-GaAs by Electrochemical STM
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaAs / GaAs
キーワード(2)(和/英) 電気化学STM / electrochemical STM
キーワード(3)(和/英) ナノメータ加工 / nanofabrication
キーワード(4)(和/英) 局所エッチング / local etching
キーワード(5)(和/英) 局所電解析出 / local electrodeposition
第 1 著者 氏名(和/英) 奥村 次徳 / T. Okumura
第 1 著者 所属(和/英) 東京都立大学大学院・工学研究料
Department of Electrical Engineering, Tokyo Metropolitan University
第 2 著者 氏名(和/英) 兼城 千波 / C. Kaneshiro
第 2 著者 所属(和/英) 東京都立大学大学院・工学研究料:北大量子界面研究センター
Department of Electrical Engineering, Tokyo Metropolitan University:Hokkaido Univ.
発表年月日 1997/7/15
資料番号 ED97-79
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 159
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日