エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1997/01/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]
19GHz Si低歪みダウンミキサ回路

小紫 浩史,  佐々木 なぎさ,  佐藤 久恭,  久保 俊次,  三木 隆博,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-197,MW96-160,IDC96-185
PHS送信系用1.9GHzシリコンバイポーラ可変減衰器

大高 章二,  谷本 洋,  渡部 秀二,  前田 忠彦,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-198,MW96-161,IDC96-186
3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET

岩田 直高,  富田 正俊,  山口 佳子,  及川 洋一,  葛原 正明,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-199,MW96-162,IDC96-187
スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET

古川 秀利,  田中 毅,  竹中 浩,  上田 哲三,  福井 武司,  上田 大助,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-200,MW96-163,IDC96-188
携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET

小野 文伸,  新宮 善蔵,  麻埜 和則,  森川 純子,  葛原 正明,  江森 文章,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-201,MW96-164,IDC96-189
900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション

松野 典朗,  矢野 仁之,  鈴木 康之,  井上 壽明,  戸田 鉄,  小瀬 泰,  本城 和彦,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-202,MW96-165,IDC96-190
高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性

冨士原 明,  恩田 和彦,  分島 彰男,  水木 恵美子,  中山 達峰,  宮本 広信,  安藤 裕二,  葛原 正明,  金森 幹夫,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-203,MW96-166,IDC96-191
BCB誘電体を用いた低損失ミリ波フリップチップIC

酒井 啓之,  吉田 隆幸,  池田 義人,  藤田 卓,  高橋 和晃,  佐川 守一,  井上 薫,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-204,MW96-167,IDC96-192
GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響

国弘 和明,  能米 雅信,  大野 泰夫,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-205,MW96-168,IDC96-193
GaAs MESFETにおけるゲートラグの2次元数値解析

山田 富子,  若林 朗,  堀尾 和重,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-206,MW96-169,IDC96-194
成長中断時AsH_3後流し条件制御によるInGaP/GaAsヘテロ界面の高品質化

深井 佳乃,  日向 文明,  入戸野 巧,  渡辺 和夫,  菅原 裕彦,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-207,MW96-170,IDC96-195
MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価

吉川 俊英,  今西 健治,  福澤 香苗,  田中 均,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]ED96-208,MW96-171,IDC96-196
[OTHERS]

,  

[発表日]1997/1/24
[資料番号]