| 講演名 | 1997/1/24 19GHz Si低歪みダウンミキサ回路 小紫 浩史, 佐々木 なぎさ, 佐藤 久恭, 久保 俊次, 三木 隆博, |
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| 抄録(和) | 本報告では低歪みグウンミキサ回路について述べる。基本的にはギルバート型ミキサ回路を用いており、負帰還の役割を果たす下段の差動対のエミッタ共通素子にシリコン上に実現したスパイラルインダクタを使用する。これによって、より高周波領域でその負帰還量が大きくなり、高調波を低減することができる。RF信号の高調波が低減されているため、回路全体としては3次相互変調歪み等が低減され、3次インタセプトポイント(IP3)等を大きく保つ。 |
| 抄録(英) | This paper desclibes a 1.9GHz Si Low Distortion Down Mixer in a Bipolar process with 20GHz npn. An inductor on silicon is used as an emitter degeneration element of a lower emitter coupled pair in a Gilbert cell. The nonlinearity is reduced because the value of emitter degeneration is large on the higher frequency. By reducing the hurmonic distortion of RF signal, the output IM3 power of the mixer is small and the 3rd-order intercept point is improved. |
| キーワード(和) | バイポーラ / ダウンミキサ / インダクタ / 低歪み / L帯 |
| キーワード(英) | bipolar / down mixer / inductor / low distortion / L-band |
| 資料番号 | ED96-197,MW96-160,IDC96-185 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1997/1/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 19GHz Si低歪みダウンミキサ回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.9GHz Si Low Distortion Down Mixer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | バイポーラ / bipolar |
| キーワード(2)（和/英） | ダウンミキサ / down mixer |
| キーワード(3)（和/英） | インダクタ / inductor |
| キーワード(4)（和/英） | 低歪み / low distortion |
| キーワード(5)（和/英） | L帯 / L-band |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小紫 浩史 / Hiroshi KOMURASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)システムLSI開発研究所 System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐々木 なぎさ / Nagisa SASAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)システムLSI開発研究所 System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 久恭 / Hisayasu SATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)システムLSI開発研究所 System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 久保 俊次 / Shunji KUBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)システムLSI開発研究所 System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三木 隆博 / Takahiro MIKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)システムLSI開発研究所 System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 発表年月日 | 1997/1/24 |
| 資料番号 | ED96-197,MW96-160,IDC96-185 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 462 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
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