エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：1994/05/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/5/19
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/5/19
[資料番号]
高速ガス流中蒸発法による薄膜および微粒子の成長

岩間 三郎,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-8,CPM94-9
金属Ga及びNH_3を用いたGaNの成長

酒井 浩光,  近藤 直範,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-9,CPM94-10
分光エリプソメトリーによるIII族窒化物半導体の屈折率の波長分散の評価

稲森 正彦,  近藤 哲夫,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-10,CPM94-11
Si基板上へのCuIn_xGa_<1-X>Se_2薄膜の作製

山口 利幸,  鈴木 正義,  山本 幸男,  出水 康崇,  吉田 明,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-11,CPM94-12
真空紫外光励起CVDによるZn,ZnOの薄膜の作製と評価

岡部 秀幸,  池田 真司,  前田 幸治,  吉田 明,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-12,CPM94-13
減圧MOCVD法によるZnS成長の基板面方位依存性

鈴木 博次,  桑原 憲弘,  高野 泰,  福家 俊郎,  今井 哲二,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-13,CPM94-14
MOCVD法により作成したZnSeエピタキシャル膜の拡散長及び深い準位の評価

田野井 務,  井戸 敏之,  仮屋園 広宣,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-14,CPM94-15
CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察

杉山 弘樹,  篠原 正典,  谷本 正文,  

[発表日]1994/5/19
[資料番号]ED94-15,CPM94-16
[OTHERS]

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[発表日]1994/5/19
[資料番号]