| 講演名 | 1994/5/19 Si基板上へのCuIn_xGa_<1-X>Se_2薄膜の作製 山口 利幸, 鈴木 正義, 山本 幸男, 出水 康崇, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | タンデム型太陽電池を目的として、Si(100),(110)および(111)基板上に基板温度を室温から400℃まで変化させて、高周波スパッタ法によりCuIn_xGa_1-X>Se_2薄膜を作製した。EPMA分折の結果、作製した薄膜の組成はストイキオメトリーに近いが、基板温度の上昇とともにCu、InとSeの若干の減少が観測された。XPS測定から、深さ方向の組成分布は均一であった。X線回折の結果。薄膜はすべてカルコパイライト構造を示した。さらに、Si基板の面方位に依存せず、基板温度の上昇とともに(112)面に強く配向し、結晶性が改善された。 |
| 抄録(英) | For fabricating a tandem solar cell,CuIn_xGa_1-X>Se_2 thin films were prepared on Si(100),(110)and(111)substrates in the temperature range of RT-400℃ by rf sputtering.From EPMA analyses,t hese sputtered thin films had nearly stoichiometric composition, although the slight deficiencies of Cu,In and Se were observed with increasing the substrate temperature.XPS study showed that the compositional depth profile of these thin films was uniform.X- ray diffraction analyses indicated that all thin films had a chalcopyrite structure.CuIn_xGa_1-X>Se_2 thin films were strongly oriented along the(112)plane and the crystallinity was improved with the increase of substrate temperature,independent of the plane azimuth of Si substrate. |
| キーワード(和) | タンデム型太陽電池 / 高周波スパッタ / Si基板 / SuIn_xGa_1-X>Se_2薄膜 |
| キーワード(英) | tandem solar cell / rf sputtering / Si substrate / CuIn_xGa_1- X>Se_2 thin film |
| 資料番号 | ED94-11,CPM94-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上へのCuIn_xGa_<1-X>Se_2薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of CuIn_xGa_1-X>Se_2 thin Films on Si substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | タンデム型太陽電池 / tandem solar cell |
| キーワード(2)（和/英） | 高周波スパッタ / rf sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | SuIn_xGa_1-X>Se_2薄膜 / CuIn_xGa_1- X>Se_2 thin film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 利幸 / Toshiyuki Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 和歌山工業高等専門学校 Wakayama College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 正義 / Masayoshi Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 和歌山工業高等専門学校 Wakayama College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 幸男 / Yukio Yamamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井工業高等専門学校 Fukui College of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 出水 康崇 / Yasutaka Demizu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 1994/5/19 |
| 資料番号 | ED94-11,CPM94-12 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |