エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2000/10/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/10/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/10/19
[資料番号]
IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造

高橋 幸大,  皆森 雅文,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-117
IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性

皆森 雅文,  高橋 幸大,  鍋谷 定孝,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-118
Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_<0.75>Ge_<0.25>合金のMBE成長

ラーマン M>M.,  又多 秀昭,  丹保 豊和,  龍山 智栄,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-119
BSCO薄膜のSi(001)面へのヘテロエピタキシャル成長

丹保 豊和,  清水 淳史,  松田 晶詳,  龍山 智榮,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-120
ノイズ及びトンネル分光法によるAIN on NbN極薄(0.9-1.6nm)エピタキシャル膜の評価

桝本 尚己,  石田 弘樹,  齊藤 敦,  濱崎 勝義,  王 鎮,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-121
(111)Si上(111)Cu/(111)HfN2層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡張バリア特性

新海 聡子,  佐々木 克孝,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-122
金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成

佐々木 健次,  蓮 達弘,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-123
液晶を適用した反射制御型酸化タンタル光導波路

松林 由夏,  伊東 栄次,  宮入 圭一,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-124
ZnO圧電薄膜のバルク弾性波素子への応用 : 異なる周波数領域でのゼロ温度係数圧電共振子の可能性

吉野 幸夫,  竹内 雅樹,  井上 和裕,  牧野 孝裕,  荒井 晴市,  畑 朋延,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-125
スパッタビーム堆積法によるITO薄膜の低温成膜

清村 貴利,  大木 竜磨,  星 陽一,  

[発表日]2000/10/19
[資料番号]CPM2000-126
[OTHERS]

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[発表日]2000/10/19
[資料番号]