| 講演名 | 2000/10/19 IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性 皆森 雅文, 高橋 幸大, 鍋谷 定孝, 佐々木 公洋, 畑 朋延, |
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| 抄録(和) | イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて, Si基板上に高濃度にかつ選択的にBをドーピングしたSi/Ge周期構造を作製した.これにより膜中の原子が格子整合しやすくなり, Bの高濃度活性化が期待できる.GeBターゲット用いて作製した膜中には, Bが2.5×10^<21>cm^<-3>と非常に高い割合で存在しているにも関わらず, 基板温度450℃からB-dope Si/Ge周期構造の良好なエピタキシャル成長がRHEED観察により確認できた.また500℃までにおいて, 低角のXRD測定により膜中の周期性の存在が確認でき, ホール効果測定よりホール濃度4×10^<17>cm^<-3>において移動度400cm^2/Vsという結果が得られた. |
| 抄録(英) | We tried to prepare heavily and selective B doped Si/Ge periodic structures on Si substrates by ion-beam sputtering. We observed that epitaxial growth of B doped Si/Ge periodic structures started at around 450℃ by the RHEED observation in spite that B was doped as heavily as 2.5×10^<21>cm^<-3> and that a periodic structure remained up to 500℃ by XRD analysis. For a B doped SiGe film a Hall mobility of 400cm^2/Vs was obtained at a hole concentration of 4×10^<17>cm^<-3> by Hall effect measurement. |
| キーワード(和) | イオンビームスパッタ / 格子整合 / 高濃度Bドープ / Si/Ge / 周期構造 |
| キーワード(英) | Ion-beam sputtering / Lattice match / Heavily B-doping / Si/Ge periodic structure |
| 資料番号 | CPM2000-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/10/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and electric properties of selective B dope Si/Ge periodic structure prepared by ion beam sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンビームスパッタ / Ion-beam sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | 格子整合 / Lattice match |
| キーワード(3)（和/英） | 高濃度Bドープ / Heavily B-doping |
| キーワード(4)（和/英） | Si/Ge / Si/Ge periodic structure |
| キーワード(5)（和/英） | 周期構造 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 皆森 雅文 / Masafumi Kaimori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 幸大 / Yukihiro Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鍋谷 定孝 / Yasunori Nabetani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / Kimihiro Sasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 畑 朋延 / Tomonobu Hata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 発表年月日 | 2000/10/19 |
| 資料番号 | CPM2000-118 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |