エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1993/12/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討

平井 信充,  石田 昌宏,  明渡 邦夫,  高岡 義寛,  山田 公,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-171
[OTHERS]

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[発表日]1993/12/9
[資料番号]
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