| 講演名 | 1993/12/9 ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討 平井 信充, 石田 昌宏, 明渡 邦夫, 高岡 義寛, 山田 公, |
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| 抄録(和) | Si基板上にICBを用いてAl, Al_2O_3/Al積層構造を作成した。15keV RHEED像によって指数付けをした結果、エピタキシャルAl/Al_2O_3/Al構造を得、電流電圧特性の結果と合わせ、Al/Al_2O_3積層構造による共鳴トンネルダイオード(RTD)形成の可能性を示した。一方、Transfer Matrix Methodを用いてAl/Al_2O_3積層構造からなる3重障壁RTDの電流電圧特性の数値計算を行った。その結果、共鳴電圧1.23V、ピークバレー比約100を得た。また、障壁層厚を変えたとき、共鳴電圧はほとんど変化しないが、ピーク電流は障壁層厚が薄いほど大きくなり、ピークバレー比は障壁層厚が薄くなると小さくなることがわかった。 |
| 抄録(英) | We produced epitaxial Al, Al_2O_3/Al structures on Si substrates by ICB.The results obtained so far for Al/Al_2O_3/Al structure showed that a tunneling current was observed and the breakdown field was more than 10^7V/cm at room temperature if the thickness of the Al_2O_3 layer was a few monolayers. On the other hand,We calculated I-V characteristics of Al, Al_2O_ 3triple barrier RTD by the simulations which use transfer matrix method.With the result that the resonant voltage was 1.23V and the P-V ratio was about 100 for a structure.the well width determine the quantum levels and resonant voltage and the barrier width determine the current characteristics such as the peak current and the P-V ratio. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネルダイオード / トランスファーマトリックス法 / クラスターイオンビーム / エピタキシャル / ア ルミニウム / アルミナ |
| キーワード(英) | resonant tunneling diode / transfer matrix method / ICB / epitaxial / Al / Al_2O_3 |
| 資料番号 | SDM93-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of Al/Al_2O_3 multilayer structure on Si substrate by ICB and its application to resonant tunneling device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diode |
| キーワード(2)（和/英） | トランスファーマトリックス法 / transfer matrix method |
| キーワード(3)（和/英） | クラスターイオンビーム / ICB |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル / epitaxial |
| キーワード(5)（和/英） | ア ルミニウム / Al |
| キーワード(6)（和/英） | アルミナ / Al_2O_3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平井 信充 / Nobumitsu Hirai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Labolatory,Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石田 昌宏 / Masahiro Ishida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Labolatory,Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 明渡 邦夫 / Kunio Akedo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Labolatory,Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高岡 義寛 / Gikan Takaoka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Labolatory,Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山田 公 / Isao Yamada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Labolatory,Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-171 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |