エレクトロニクス-集積回路(開催日:2008/07/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

鬼沢 岳,  加藤 慎一,  青山 敬幸,  奈良 安雄,  大路 譲,  

[発表日]2008/7/10
[資料番号]SDM2008-146,ICD2008-56
極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

後藤 正和,  辰村 光介,  川中 繁,  中嶋 一明,  市原 玲華,  吉水 康人,  小野田 裕之,  長友 浩二,  佐々木 俊行,  福島 崇,  野町 映子,  犬宮 誠治,  青山 知憲,  小山 正人,  豊島 義明,  

[発表日]2008/7/10
[資料番号]SDM2008-147,ICD2008-57
ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

大田 裕之,  川村 和郎,  福留 秀暢,  田島 貢,  岡部 堅一,  池田 圭司,  保坂 公彦,  籾山 陽一,  佐藤 成生,  杉井 寿博,  

[発表日]2008/7/10
[資料番号]SDM2008-148,ICD2008-58
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[発表日]2008/7/10
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[発表日]2008/7/10
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[発表日]2008/7/10
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