エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2009/01/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
ミリ波帯両面金属装荷トリプレート伝送線路の実験的検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

田丸 了次,  黒木 太司,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-216,MW2008-181
2008年日中合同マイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

黒木 太司,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-217,MW2008-182
C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

重松 寿生,  井上 雄介,  増田 哲,  山田 全男,  金村 雅仁,  多木 俊裕,  牧山 剛三,  岡本 直哉,  今西 健治,  吉川 俊英,  常信 和清,  原 直紀,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-218,MW2008-183
AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

遠藤 聡,  渡邊 一世,  山下 良美,  三村 高志,  松井 敏明,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-219,MW2008-184
In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

黒田 正行,  村田 智洋,  中澤 敏志,  瀧澤 俊幸,  西嶋 将明,  柳原 学,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-220,MW2008-185
ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

牧山 剛三,  多木 俊裕,  金村 雅仁,  常信 和清,  今西 健治,  原 直紀,  吉川 俊英,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-221,MW2008-186
ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

安藤 晃洋,  高山 洋一郎,  吉田 剛,  石川 亮,  本城 和彦,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-222,MW2008-187
ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

大井 幸多,  橋詰 保,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-223,MW2008-188
複写される方へ

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[発表日]2009/1/7
[資料番号]
Notice for photocopying

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[発表日]2009/1/7
[資料番号]
奥付

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[発表日]2009/1/7
[資料番号]
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