| 講演名 | 2009-01-16 C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) 重松 寿生, 井上 雄介, 増田 哲, 山田 全男, 金村 雅仁, 多木 俊裕, 牧山 剛三, 岡本 直哉, 今西 健治, 吉川 俊英, 常信 和清, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | 本論文では0.8μm GaN-HEMTを用いた超300W出力のC帯高出力増幅器について報告する。増幅器は2チップ構成とし、帯域を拡大するために3段のインピーダンス変換回路を用いた。チップ直近の入出力の伝送線路は高周波における熱不均一を抑制するために各々のチップに対して4分割した構造とした。4.8GHzのRF動作状態で各々のチップにおいて均一な熱分布を確認した。結果として4.8GHzにおいて321Wの出力と57%のドレイン効率を得た。これはこれまでに報告されている1パッケージC帯高出力増幅器で最高の出力である。また4.7GHzから5.3GHzにおいて250W以上の出力と44%以上のドレイン効率を得た。さらに効率重視の増幅器も試作を行い、4.8GHzにおいて288Wの出力と59%のドレイン効率および54%の電力付加効率を得た。 |
| 抄録(英) | In this paper, we report a C-band power amplifier with over 300-W output power using 0.8-μm GaN-HEMTs. We used two-chip configuration and the three-stage impedance transformer to extend the bandwidth. The input and output lines adjacent to each chip are divided by four to suppress the non-uniform heat distribution in a chip at high frequencies. We confirmed that the uniform heat distribution in each chip under RF operation at 4.8GHz. As a result, we obtained over 321-W output power and 57-% drain efficiency at 4.8GHz. This is the highest output power of the one-package power amplifiers at C-band. We also obtained over 250-W output power and over 44-% drain efficiency between 4.7GHz and 5.3GHz. Moreover, we developed the amplifier with higher efficiency. We also obtained 288-W output power, 59-% drain efficiency, and 54-% power added efficiency. |
| キーワード(和) | C帯 / GaN / 高出力 / 高効率 / 増幅器 |
| キーワード(英) | C-band / GaN / high output power / high efficiency / amplifier |
| 資料番号 | ED2008-218,MW2008-183 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/1/7(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-band GaN-HEMT Power Amplifier with Over 300-W Output Power and Over 50-% Efficiency |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | C帯 / C-band |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力 / high output power |
| キーワード(4)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 重松 寿生 / Hisao SHIGEMATSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 雄介 / Yusuke INOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 哲 / Satoshi MASUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 全男 / Masao YAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya OKAMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 発表年月日 | 2009-01-16 |
| 資料番号 | ED2008-218,MW2008-183 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 376 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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