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A: 基礎・境界
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H: ヒューマンCG
(第二種) A: 基礎・境界
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(第二種) B: 通信
(第二種) C: エレクトロニクス
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(第二種) H: ヒューマンCG
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光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
コンピュテーション研究会 (COMP)
合意と共創研究会 (Consen)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
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電子材料研究会 (IEE-EFM)
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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
CPM
2023-07-31
15:10
北海道
北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討
○
三浦豊生
・
佐藤 勝
・
武山真弓
(
北見工大
)
CPM2023-14
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ...
[more]
CPM2023-14
pp.11-12
CPM
2021-03-03
13:45
ONLINE
オンライン開催
薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
○
川合祐貴
・
山本和輝
・
大塚 祐
・
佐藤 勝
・
武山真弓
(
北見工大
)
CPM2020-69
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた...
[more]
CPM2020-69
pp.52-54
CPM
2020-10-29
16:40
ONLINE
オンライン開催
抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製
○
佐藤 勝
・
川合祐貴
・
向井高幸
・
武山真弓
(
北見工大
)
CPM2020-21
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は...
[more]
CPM2020-21
pp.38-40
RCS
,
SR
,
SRW
(併催)
2020-03-05
10:55
東京
東京工業大学
(開催中止,技報発行あり)
無線LANにおける環境価値の予測と電力制御の検討
○
神戸寛典
・
田久 修
(
信州大
)・
安達宏一
(
電通大
)・
太田真衣
(
福岡大
)・
藤井威生
(
電通大
)
SR2019-126
無線LAN(Local Area Network)は,スマートフォンやタブレットの普及にともない,家庭やオフィスなど様々...
[more]
SR2019-126
pp.79-86
MRIS
,
ITE-MMS
,
IEE-MAG
(連催)
2019-10-17
13:00
福岡
九州大学 (西新プラザ)
希土類磁性体を用いた無磁場中スピンオービットトルク磁化反転
○
若江将和
・
伊藤正裕
・
黒川雄一郎
・
大西紘平
・
湯浅裕美
(
九大
)
MRIS2019-15
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM : Magnetic Random Access Memory)は不揮発かつ高速動...
[more]
MRIS2019-15
pp.1-5
SIS
2018-12-07
09:30
山口
萩市民館
畳み込みニューラルネットワークに基づくスイッチ型雑音除去フィルタとそのランダム値インパルス性雑音への適用
○
福田有輝也
・
久保田良輔
(
宇部高専
)
SIS2018-29
本報告では,カラー画像に重畳したランダム値インパルス性雑音を除去することを目的として,畳み込みニューラルネットワーク(C...
[more]
SIS2018-29
pp.41-46
EE
2018-01-29
14:40
大分
サテライトキャンパスおおいた (大分市)
[特別講演]スイッチング電源における伝導ノイズの発生機構と低減化技術
○
庄山正仁
(
九大
)
EE2017-61
小形・軽量・高効率の特長を持つスイッチング電源回路は,元々は宇宙衛星搭載用として開発されたものであるが,今日では,通信機...
[more]
EE2017-61
pp.109-114
EMCJ
2017-11-22
13:50
東京
機械振興会館
ノイズ源振幅変調による電磁妨害波源デバイス特定法の精度改善
○
石田千晶
・
吉野慎平
・
小川千晶
・
五百旗頭健吾
・
豊田啓孝
・
野上保之
(
岡山大
)
EMCJ2017-70
電磁妨害波(Electromagnetic Interference : EMI) においてノイズ源を効率的に特定するた...
[more]
EMCJ2017-70
pp.35-40
SIS
2017-06-01
10:10
大分
別府豊泉荘
個体の変動を取り入れた遺伝的アルゴリズムの階層化とそのスイッチングメジアンフィルタ設計への応用
○
石本真也
・
堀尾恵一
(
九工大
)・
久保田良輔
(
宇部高専
)
SIS2017-2
画像に重畳したランダム値インパルス性雑音の検出方法として従来提案されている遺伝的アルゴリズム(genetic algor...
[more]
SIS2017-2
pp.7-12
ICD
2016-04-14
13:00
東京
機械振興会館
[依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察
○
高橋庸夫
(
北大
)・
工藤昌輝
(
九大
)・
有田正志
(
北大
)
ICD2016-5
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている.しかし、その長期信頼...
[more]
ICD2016-5
pp.21-26
SIS
2016-03-11
10:30
東京
東京都市大学世田谷キャンパス
個体の変動を取り入れた遺伝的アルゴリズムに基づくスイッチングメジアンフィルタの設計法
○
石本真也
(
宇部高専
)・
堀尾恵一
(
九工大
)・
久保田良輔
(
宇部高専
)
SIS2015-64
ディジタル画像に重畳したランダム値インパルス性雑音を効果的に除去することを目的として,複数のしきい値とそれらの自動調整機...
[more]
SIS2015-64
pp.93-98
SDM
2015-06-19
13:20
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
○
加藤祐介
・
荒井 崇
・
大田晃生
・
牧原克典
・
宮崎誠一
(
名大
)
SDM2015-46
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ...
[more]
SDM2015-46
pp.41-45
NLP
,
CCS
(共催)
2015-06-11
10:55
東京
早稲田大学
硬い発振器の結合ネットワークに見られる振幅切り替り現象
平野亮太
・
北村拓也
・○
茂呂征一郎
(
福井大
)
NLP2015-43 CCS2015-5
本研究では,非線形特性が5次多項式で表されるいわゆる硬い発振器を結合したランダムネットワークに見られる振動現象を調べてい...
[more]
NLP2015-43
CCS2015-5
pp.25-30
SIS
2015-06-09
10:00
長崎
アルカスSASEBO(長崎佐世保)
スイッチング非局所的ベクトルメディアンフィルタによるカラー画像のランダム値インパルス性雑音除去
○
松岡丈平
(
山口大
)・
古賀崇了
(
徳山高専
)・
末竹規哲
・
内野英治
(
山口大
)
SIS2015-9
本報告では,カラー画像に重畳したランダム値インパルス性雑音の除去を取り扱う.
一般に,カラーの自然画像は,色ずれを防ぐ...
[more]
SIS2015-9
pp.45-50
SDM
,
EID
(共催)
2014-12-12
17:15
京都
京都大学
二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討
○
小石遼介
・
森山拓洋
・
木村康平
・
河野公紀
・
宮下英俊
・
李 相錫
・
岸田 悟
・
木下健太郎
(
鳥取大
)
EID2014-37 SDM2014-132
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によっ...
[more]
EID2014-37
SDM2014-132
pp.125-128
CAS
,
SIP
,
MSS
,
VLD
,
SIS
(共催)
[詳細]
2014-07-09
15:10
北海道
北海道大学
非局所メディアンフィルタによるインパルス性雑音の除去
○
松岡丈平
・
末竹規哲
・
内野英治
(
山口大
)
CAS2014-14 VLD2014-23 SIP2014-35 MSS2014-14 SIS2014-14
本報告では,モノクロ画像に重畳したランダム値インパルス性雑音の除去を取り扱う.インパルス性雑音の除去にはスイッチ型のメデ...
[more]
CAS2014-14
VLD2014-23
SIP2014-35
MSS2014-14
SIS2014-14
pp.63-68
ED
,
SDM
(共催)
2014-02-28
11:40
北海道
北海道大学百年記念会館
Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察
○
大野裕輝
・
廣井孝弘
・
工藤昌輝
・
浜田弘一
・
有田正志
・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2013-148 SDM2013-163
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では,固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作...
[more]
ED2013-148
SDM2013-163
pp.89-94
SDM
2011-07-04
16:20
愛知
名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)
RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性
○
大田晃生
・
後藤優太
・
西垣慎吾
・
Guobin Wei
・
村上秀樹
・
東 清一郎
(
広島大
)・
宮崎誠一
(
名大
)
SDM2011-67
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ:8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流...
[more]
SDM2011-67
pp.97-102
SIS
2010-12-02
10:00
奈良
奈良県文化会館
しきい値自動調整機能を有するスイッチングメジアンフィルタに基づくカラー画像のランダム値インパルス性雑音除去
○
久保田良輔
(
宇部高専
)・
末竹規哲
(
山口大
)
SIS2010-35
カラー画像に重畳したランダム値インパルス性雑音を効果的に除去することを目的として,しきい値自動調整機能を有するスイッチン...
[more]
SIS2010-35
pp.1-6
ITE-MMS
,
MRIS
(連催)
2010-10-14
16:15
秋田
秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所
垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製
○
大宮翔吾
・
吉村 哲
・
江川元太
・
斉藤 準
(
秋田大
)
MR2010-27
我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL10-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。
本薄膜をスピ...
[more]
MR2010-27
pp.31-36
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