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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-10-22
15:50
ONLINE オンライン開催 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析
秋元 瞭黒田理人東北大)・寺本章伸広島大)・間脇武蔵市野真也諏訪智之須川成利東北大SDM2020-21
本研究では, 長方形と台形のゲートを有する, 各11520個のトランジスタのランダムノイズ特性を測定し, 振幅や時定数と... [more] SDM2020-21
pp.34-39
CS, IN, NS, NV
(併催)
2020-09-11
11:15
ONLINE オンライン開催 SmartNICを用いたプライバシ保護とデータ転送の効率化を考慮したVNFの実装簡略化機構
クレーマー龍太近藤賢郎摂待大輔寺岡文男慶大NS2020-44
ネットワーク機能の仮想化(NFV: Network Functions Virtualization)によって,ネットワ... [more] NS2020-44
pp.15-20
SWIM 2020-02-21
17:15
東京 機械振興会館 AIによるビジネスモデルのモデリングと活用
幡鎌 博文教大SWIM2019-33
本稿では、ビジネスモデルを表現する手法として人工知能(AI)を採用し、ビジネスモデルのパターンや因果関係をルールベースで... [more] SWIM2019-33
pp.55-58
HCGSYMPO
(第二種研究会)
2019-12-11
- 2019-12-13
広島 広島県情報プラザ(広島) コミュニケーションエイドを用いて行った失語症者との会話における視線分析
廣冨哲也・○檀浦斗夢島根大)・坊岡峰子県立広島大
話し言葉のみでの会話が困難な失語症者等は、ジェスチャーや描画、画像と文字で構成される視覚シンボル等を使用し、会話を行う.... [more]
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
15:30
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法
籔内美智太郎大島 梓駒脇拓弥小林和淑岸田 亮古田 潤京都工繊大)・Pieter WeckxKUL/IMEC)・Ben KaczerIMEC)・松本高士東大)・小野寺秀俊京大VLD2016-52 DC2016-46
複合欠陥を考慮したランダムテレグラフノイズ (RTN: Random Telegraph Noise) モデルを用いた回... [more] VLD2016-52 DC2016-46
pp.49-54
SDM 2016-10-27
10:50
宮城 東北大学未来研 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究
間脇武蔵寺本章伸黒田理人市野真也後藤哲也諏訪智之須川成利東北大SDM2016-75
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] SDM2016-75
pp.35-38
MICT, ASN, MoNA
(併催)
2016-01-28
14:15
神奈川 箱根湯本温泉の旅館 ホテルおかだ [招待講演]日本の医薬品・医療機器開発の現状と開発支援の鍵
棗田 豊KSLIONMICT2015-41
新規性の高い医薬品・医療機器の開発において日本は欧米に大きく取り残されているが、追いつき追い越すことは決して難しいことで... [more] MICT2015-41
pp.13-16
TL 2015-12-13
12:00
東京 早稲田大学 8 号館 303 / 304 / 305 号室 EPA看護師・介護福祉士候補者の日本語使用のネットワーク ~ インドネシア人候補者の事例を通して ~
加藤真実子早大TL2015-50
本稿は, 経済連携協定(EPA)に基づき来日し, 就労し生活しながら国家試験を目指している看護師・介護福祉士候補者を対象... [more] TL2015-50
pp.59-60
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReR... [more] SDM2015-65 ICD2015-34
pp.41-46
SDM 2014-10-17
13:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]電子捕獲履歴現象を利用したナノスケールMOSFETにおける多値ランダムテレグラフノイズの解析
土屋敏章島根大SDM2014-92
ランダムテレグラフノイズ(RTN)に関与している酸化膜トラップにおける電子捕獲履歴現象を利用し,RTNを解析する新たな手... [more] SDM2014-92
pp.47-54
SDM 2013-11-15
15:00
東京 機械振興会館 チャネルドーピングによるランダム・テレグラフ・ノイズの変調及び移動度向上によるノイズ低減の検討
陳 杰智東 悠介平野 泉三谷祐一郎東芝SDM2013-114
 [more] SDM2013-114
pp.83-86
SDM 2013-10-18
14:00
宮城 東北大学未来研 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析
米澤彰浩寺本章伸小原俊樹黒田理人須川成利大見忠弘東北大SDM2013-98
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] SDM2013-98
pp.51-56
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2012-11-26
16:00
福岡 九州大学百年講堂 ランダム・テレグラフ・ノイズに起因した組合せ回路遅延ゆらぎに対する基板バイアスの影響
松本高士京大)・小林和淑京都工繊大)・小野寺秀俊京大VLD2012-70 DC2012-36
近年のLSI素子の微細化により、NBTIおよび、RTNなどのゲート絶縁膜の信頼性が回路の信頼性に与える影響がますます深刻... [more] VLD2012-70 DC2012-36
pp.63-68
SDM 2012-11-15
15:20
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性
陳 杰智平野 泉辰村光介三谷祐一郎東芝SDM2012-103
近年,さまざまな構造のデバイスにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の報告がなされている。例えば、CMOSイメー... [more] SDM2012-103
pp.21-24
CNR 2012-06-25
15:45
神奈川 慶應義塾大学(日吉) クラウドサービスを用いたロボットパートナーによる情報支援
唐 達頼久保田直行首都大東京CNR2012-3
本稿では,センサネットワークを用いた高齢者の屋内行動計測と連携として,クラウドネットワークと接続可能なスマートフォンを用... [more] CNR2012-3
pp.11-16
SDM 2011-11-10
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
東 悠介百々信幸百瀬寿代大黒達也松澤一也東芝SDM2011-118
Random Telegraph Noise (RTN)の本質理解に向け、過渡解析および周波数領域解析が可能なRTNデバ... [more] SDM2011-118
pp.17-20
SDM 2011-10-20
13:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ
平本俊郎東大SDM2011-97
イントリンジックチャネル完全空乏型(FD) SOI MOSFETの統計的性質を実測し,従来のバルクMOSトランジスタと比... [more] SDM2011-97
pp.1-4
SDM 2011-10-20
14:20
宮城 東北大学未来研 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減
鈴木裕彌黒田理人寺本章伸米澤彰浩松岡弘章中澤泰希阿部健一須川成利大見忠弘東北大SDM2011-98
ブロードチャネル構造によって,劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の低減効果を得た.形成されるチャネルの位置をト... [more] SDM2011-98
pp.5-9
MVE 2011-05-13
16:00
茨城 筑波大学 愚痴を聞くロボットの提案
松原 大・○上田博唯京都産大MVE2011-5
人間の愚痴を聞くということを目的にした対話ロボットの設計について、簡単な評価実験結果を示して論じる。基本的な戦略として、... [more] MVE2011-5
pp.45-50
VLD 2011-03-02
17:00
沖縄 沖縄県男女共同参画センター [フェロー記念講演]More Mooreに立ちはだかるCMOSばらつきの理解に向けて
小野寺秀俊京大/JSTVLD2010-124
デバイス寸法がナノメートルの領域に入ってきた現在、デバイス特性の
ばらつきはLSI設計における深刻な問題となってきた。... [more]
VLD2010-124
p.49
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