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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
14:00
東京 機械振興会館 GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大)・鈴木寿一北陸先端大OPE2013-10 LQE2013-20
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8 $mu$m帯での... [more] OPE2013-10 LQE2013-20
pp.19-22
LQE, LSJ
(共催)
2013-05-17
16:35
石川 金沢大学角間キャンパス BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大LQE2013-15
シリコンゴトニクスを実現するためには,シリコンプラットフォーム上に受発光素子を集積化する技術が必要となる.本研究では,ベ... [more] LQE2013-15
pp.67-70
OPE 2012-12-21
15:20
東京 機械振興会館 MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用
三浦 真藤方潤一野口将高岡本大典光電子融合基盤技研)・堀川 剛産総研)・荒川泰彦東大OPE2012-139
シリコン(Si)基板上への光電子集積技術の確立に向け,ゲルマニウム(Ge)受光器の開発とGe受光器を用いた光受信回路の検... [more] OPE2012-139
pp.27-31
PN 2010-03-09
13:55
沖縄 大濱信泉記念館(石垣島) SFQバッファメモリのための1550nm帯光入力インターフェースの製作と評価
品田 聡寺井弘高王 鎮和田尚也NICTPN2009-99
単一磁束量子(Single Flux Quantum : SFQ)回路は,100 GHzを越える動作帯域を得られるため,... [more] PN2009-99
pp.73-77
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