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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-18 11:40 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価 ○赤松知弥・亀田滉貴・佐々木正尋・冨岡克広・本久順一（北大）  PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95 |
ナノスケールの断面寸法を有する半導体ナノワイヤはヘテロ構造を利用した多様な量子構造が形成できるだけでなく、量子構造の個数... [more] | PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95 pp.247-250 |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 13:50 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 ○原 直紀・高橋 剛・川野陽一・中舍安宏（富士通/富士通研） EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 |
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] | EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 pp.9-10 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一（金沢大）・鈴木寿一（北陸先端大） OPE2013-10 LQE2013-20 |
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し，波長0.8 $mu$m帯での... [more] | OPE2013-10 LQE2013-20 pp.19-22 |
| LQE, OPE (共催) |
2011-06-30 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 光ファイバ接続用InP/GaInAsP導波路第2コア型スポットサイズ変換器 ○蘇武洋平・濱田裕史・水本哲弥（東工大） OPE2011-23 LQE2011-23 |
?－?族化合物半導体導波路デバイスと光ファイバを直接接続すると大きな結合損失が発生する。そこで、本研究では、両者の高効率... [more] | OPE2011-23 LQE2011-23 pp.41-45 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 10:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積 ○高木信一・竹中 充（東大） ED2010-78 SDM2010-79 |
高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造... [more] | ED2010-78 SDM2010-79 pp.119-124 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
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