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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2019-01-18
11:40
大阪 大阪大学中之島センター InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価
赤松知弥亀田滉貴佐々木正尋冨岡克広本久順一北大PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95
ナノスケールの断面寸法を有する半導体ナノワイヤはヘテロ構造を利用した多様な量子構造が形成できるだけでなく、量子構造の個数... [more] PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95
pp.247-250
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
14:00
東京 機械振興会館 GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大)・鈴木寿一北陸先端大OPE2013-10 LQE2013-20
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8 $mu$m帯での... [more] OPE2013-10 LQE2013-20
pp.19-22
OPE, OFT
(共催)
2012-03-02
14:00
東京 機械振興会館 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ
森田 健上山日向北田貴弘井須俊郎徳島大OFT2011-79 OPE2011-205
本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜... [more] OFT2011-79 OPE2011-205
pp.31-34
LQE, OPE
(共催)
2011-06-30
14:50
東京 機械振興会館 光ファイバ接続用InP/GaInAsP導波路第2コア型スポットサイズ変換器
蘇武洋平濱田裕史水本哲弥東工大OPE2011-23 LQE2011-23
?-?族化合物半導体導波路デバイスと光ファイバを直接接続すると大きな結合損失が発生する。そこで、本研究では、両者の高効率... [more] OPE2011-23 LQE2011-23
pp.41-45
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:25
東京 機械振興会館 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET
金澤 徹寺尾良輔山口裕太郎池田俊介米内義晴加藤 淳宮本恭幸東工大ED2010-188 MW2010-148
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] ED2010-188 MW2010-148
pp.69-73
ED, SDM
(共催)
2010-07-01
10:45
東京 東工大 大岡山キャンパス [招待講演]III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積
高木信一竹中 充東大ED2010-78 SDM2010-79
高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造... [more] ED2010-78 SDM2010-79
pp.119-124
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-29
08:55
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
北田貴弘高橋朋也森田 健井須俊郎徳島大PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171
共振器内での光カー効果を利用した面型全光スイッチとして機能するGaAs$\slash$AlAs多層膜光共振器を分子線エピ... [more] PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171
pp.85-88
ED, MW
(共催)
2010-01-14
10:00
東京 機械振興会館 Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
金澤 徹若林和也齋藤尚史寺尾良輔田島智宣池田俊介宮本恭幸古屋一仁東工大ED2009-181 MW2009-164
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] ED2009-181 MW2009-164
pp.39-42
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