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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ 2022-04-15
14:45
沖縄 沖縄県市町村自治会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
薄膜高誘電率基板を用いた低インピーダンスPDNによるクロストーク抑制効果の解析
北澤太基キム ヨンウ藤本大介林 優一奈良先端大EMCJ2022-5
高インピーダンス電源供給ネットワーク (PDN: Power Delivery Network) に起因して生じるクロス... [more] EMCJ2022-5
pp.25-30
AP, MW
(併催)
2016-09-16
09:00
茨城 産総研 炭素繊維の物性と2.45GHz帯に対する電磁波応答
杉山順一産総研)・森住真紀ISMA)・圖子博昭東大MW2016-82
空洞共振器による摂動法評価において、純水などの誘電体の装荷では波長短縮によって共振周波数が低周波側にシフトするのに対し、... [more] MW2016-82
pp.47-52
MW, WPT
(共催)
2016-04-21
14:40
東京 機械振興会館 導電性材料装荷における共振周波数の高周波シフトの解釈
杉山順一森住真紀佐藤千佳産総研WPT2016-7 MW2016-7
マイクロ波を加熱源として利用する際に共振器構造を用いた時、純水などの誘電体の装荷では波長短縮によって共振周波数が低周波側... [more] WPT2016-7 MW2016-7
pp.33-38
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-24
09:00
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) Heイオン照射によるシリコン基板高抵抗化の電磁界シミュレーションの基礎検討
矢尾裕樹平野拓一李 寧岡田健一松澤 昭広川二郎安藤 真東工大)・井上 剛正岡章賀坂根 仁住重試験検査PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81
Heイオン照射によりシリコン(Si)基板を高抵抗化して損失を低減する技術が提案されている. Si結晶に照射したイオンによ... [more] PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81
pp.181-185
MW 2013-12-20
09:25
埼玉 埼玉大学 ミリ波帯埋め込み型高誘電率伝送線路の検討
黒木太司・○北林 智呉高専MW2013-165
ミリ波帯域における低損失な伝送線路の作成を目的として、低分散特性を示す帯域内では低損失かつ高誘電率材料の誘電正接の影響を... [more] MW2013-165
pp.81-84
ED, MW
(共催)
2012-01-11
10:40
東京 機械振興会館 マイクロ波帯における高損失誘電材料を用いた超薄型一層電波吸収体の基礎検討
藤田敬人津田祐己安住壮紀橋本 修青学大)・和野隆司福田佑紀日東電工ED2011-120 MW2011-143
本稿では,損失誘電材料を用いた超薄型電波吸収体の製造に関する検討を行った.まず,導波管法を用いて材料の複素比誘電率を測定... [more] ED2011-120 MW2011-143
pp.7-12
EMCJ 2010-01-21
13:15
沖縄 琉球大学50周年記念館 散乱波を用いた高周波複素誘電率の推定
駒木根隆士黒澤孝裕秋田県産技総研センター)・井上 浩秋田大EMCJ2009-104
電気電子機器材料をはじめとして,誘電体は重要な材料であり,高周波に対する誘電率や誘電損失など材料定数の評価法が様々考案さ... [more] EMCJ2009-104
pp.37-40
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-03
15:40
神奈川 YRP 超高周波帯高誘電率薄板伝送線路
黒木太司宮本和哉呉高専
誘電体線路の量産化を目的とし,高誘電率誘電体薄板で構成した新たな伝送線路を提案した。この伝送線路は遮断平行平板導波管内の... [more] MW2005-187
pp.49-52
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-03
16:20
神奈川 YRP 高誘電率薄板伝送線路のミリ波伝送特性
黒木太司・○宮本和哉呉高専
誘電体線路の量産化を目的として提案された高誘電率誘電体薄板の伝送特性を,ミリ波帯で実験的に検討した。まず比誘電率90,及... [more] MW2005-189
pp.57-60
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
10:00
北海道 函館国際ホテル [特別招待講演]HfSiON ~ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ~
西山 彰小山正人上牟田雄一小池正浩飯島良介山口 豪鈴木正道井野恒洋小野瑞城東芝
MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わ... [more] SDM2005-146 ICD2005-85
pp.19-24
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