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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ガラス基板上のダブルゲート薄膜トランジスタ ○原 明人・野村海成・永吉輝央・新田誠英・鈴木 翔・伊藤悠人（東北学院大）  SDM2023-16 OME2023-16 |
我々は, ガラス基板上に高性能な薄膜トランジスタ(TFT)を実現することを目標に研究を進めている.本報告では多結晶４族系... [more] | SDM2023-16 OME2023-16 pp.59-62 |
| WPT (第二種研究会) |
2022-12-05 - 2022-12-06 |
京都 | 京都大学（宇治キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Field-Plate Length Dependence of 2.4-GHz Rectification Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT Based Diode ○Gen Taguchi・Naoya Kishimoto・Youichi Tsuchiya・Debaleen Biswasa・Ma Qiang（Nagoya Inst. of Tech.）・Yuji Ando・Hidemasa Takahashi（Nagoya Univ）・Kenji Itoh・Naoki Sakai（Kanazawa Inst. of Tech）・Akio Wakejima（Nagoya Inst. of Tech.） |
We demonstrate field-plate (FP) length dependence of 2.4-GHz... [more] | |
| OME | 2019-12-20 16:35 |
佐賀 | アバンセ（佐賀市：佐賀駅徒歩10分） | 金属錯体型人工レセプタを修飾した有機トランジスタによるタンパク質の高感度検出 南木 創・浅野康一郎・佐々木由比・窪田 陸・○南 豪（東大） OME2019-46 |
人工レセプタを用いたタンパク質センサは，化学的/物理的安定性，低コスト，標的種に対する選択性の調整が可能などの魅力的な特... [more] | OME2019-46 pp.45-48 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | 浮遊ゲートFETの新たな関数フィッティングによるSPICEモデル化 ○松本明樹・高橋康宏・関根敏和（岐阜大） CAS2017-78 ICD2017-66 CPSY2017-75 |
Suspended-Gate FET (SGFET) は，電圧を印加することで発生する静電気力によってゲート電極を変形さ... [more] | CAS2017-78 ICD2017-66 CPSY2017-75 pp.75-78 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～ ○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2016-108 MW2016-184 |
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が，GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流，ゲートリーク電流... [more] | ED2016-108 MW2016-184 pp.63-68 |
| SDM | 2015-10-30 15:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2015-82 |
[more] | SDM2015-82 pp.57-62 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
| ED | 2014-12-22 15:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2014-102 |
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては，ゲート長Lg の短縮に加えて，短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] | ED2014-102 pp.21-26 |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| ED | 2013-12-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研 | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2013-92 |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては... [more] | ED2013-92 pp.13-17 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT ○吉田智洋・小林健悟・尾辻泰一・末光哲也（東北大） ED2012-127 MW2012-157 |
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては，短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電... [more] | ED2012-127 MW2012-157 pp.79-84 |
| OME | 2012-11-19 10:25 |
大阪 | 大阪大学中之島センター 講義室３０２ | 真空蒸着された電極を有する素子における導電性高分子の状態変化が与える影響 ○児玉充弘・多田和也（兵庫県立大） OME2012-63 |
電子素子の製造プロセスを簡略化できることから、半導体材料として導電性高分子が注目を集めている。このような導電性高分子の多... [more] | OME2012-63 pp.7-10 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Fabrication and Characterization of Asymmetric-Gate GaAs Nanowire Transistors for Electrical Brownian Ratchet ○Takayuki Tanaka・Yuki Nakano・Toru Muramatsu・Seiya Kasai（Hokkaido Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 13:25 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 ○鈴木耕佑・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-156 SDM2011-173 |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] | ED2011-156 SDM2011-173 pp.83-87 |
| OME | 2011-09-22 16:10 |
大阪 | 大阪市中央公会堂 | ポリアルキルフルオレン有機発光トランジスタの電気的光学的特性の紫外光照射による影響 ○寺島大樹・楠本悠介・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2011-46 |
poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機電... [more] | OME2011-46 pp.25-29 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-29 09:55 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成 ○松田時宜・古田 守・平松孝浩・古田 寛・平尾 孝（高知工科大） EID2010-35 |
薄膜トランジスタのような半導体デバイスを、フレキシブル電子ペーパーなどへの応用が期待される低耐熱性基板へ応用するため、絶... [more] | EID2010-35 pp.87-90 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2010-182 MW2010-142 |
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の電流コラプス... [more] | ED2010-182 MW2010-142 pp.41-44 |
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