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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2022-11-16 10:20 |
長崎 | 福江文化会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロ波電力増幅器への負ゲートバイアス印加用直流帰還型ゼロ閾値GaAs HEMT整流器および倍電圧ダイオード整流器 ○長田多喜・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2022-123 |
近年、環境中の微小な電磁波をDC電力に変換するRFエナジーハーベスティングに関する研究が盛んに行われており、その中でもR... [more] | MW2022-123 pp.77-80 |
| SDM | 2020-10-22 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析 ○秋元 瞭・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・間脇武蔵・市野真也・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2020-21 |
本研究では, 長方形と台形のゲートを有する, 各11520個のトランジスタのランダムノイズ特性を測定し, 振幅や時定数と... [more] | SDM2020-21 pp.34-39 |
| MW | 2019-11-14 14:45 |
沖縄 | 南大東村多目的交流センター | K帯GaN電力増幅器の出力整合回路の低損失設計手法とバイアス最適化手法に関する検討 ○鳥居拓真・半谷政毅・稲垣隆二・新庄真太郎（三菱電機） MW2019-104 |
衛星通信向け電力増幅器では高効率な動作と，良好な線形性の両立が求められている．本報告ではK帯衛星通信向けのGaN電力増幅... [more] | MW2019-104 pp.25-28 |
| MW | 2018-11-15 11:15 |
長崎 | 福江文化会館 | ゲート電圧制御回路を用いた低歪GaN電力増幅器 ○鳥居拓真・半谷政毅・稲垣隆二・新庄真太郎（三菱電機） MW2018-95 |
無線通信では通信容量を増加させるため，PAPR(Peak to Average Power Ratio)の大きい信号が扱... [more] | MW2018-95 pp.19-23 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | 190mVから昇圧可能な0.18um標準CMOSプロセスを用いたエネルギーハーベスティング向けCMOSゲート電圧2倍振幅スタートアップボルテージダブラー型チャージポンプ ○吉田穣理・宮地幸祐（信州大） CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 |
近年、バッテリーの電源が消失したときでも、室内光等の低電力ソースから電源供給を復帰させるコールドスタート機能を持ったIo... [more] | CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 p.127 |
| SCE | 2017-08-09 14:35 |
愛知 | 名古屋大学(東山キャンパス) | 単一磁束量子ゲートレベルパイプラインマイクロプロセッサに向けた要素回路設計 ○畑中湧貴・松井裕一・田中雅光・佐野京佑・藤巻 朗（名大）・石田浩貴・小野貴継・井上弘士（九大） SCE2017-17 |
我々は CMOS マイクロプロセッサの性能を凌駕することを最終目的とし、高スループットな単一磁束 量子（RSFQ）マイク... [more] | SCE2017-17 pp.37-42 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-16 16:10 |
東京 | 東京工業大学 | 等温点及びバックゲートバイアス制御を用いた広温度領域対応ISFETアレイの解析 ○多木 真・徐 祖楽・河原尊之（東京理科大） ICD2016-99 CPSY2016-105 |
高感度なpHセンサであるISFETは半導体技術の進歩により容易にアレイ化でき，製造，農業，医療，食品，環境などの分野で応... [more] | ICD2016-99 CPSY2016-105 pp.155-160 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 11:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド（奈良先端大）・高橋英治・安東靖典（日新電機）・浦岡行治（奈良先端大） R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] | R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 pp.9-11 |
| SCE | 2014-07-23 09:45 |
東京 | 機械振興会館 | SFQ論理ゲートにおける電流比較部の最適化によるビットエラーレートの改善 ○朝倉剣太・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2014-24 |
2つのJosephson接合で構成されている単一磁束量子 (SFQ) 回路の電流比較部は、SFQ 回路の中で最も重要な役... [more] | SCE2014-24 pp.1-6 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 10:55 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析 ○黒田亮太・殷 翔・佐藤将来・葛西誠也（北大） ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34 |
SiNおよびAl2O3をゲート絶縁膜として絶縁ゲート型GaAsエッチングナノワイヤFETのヒステリシス特性とダイナミック... [more] | ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34 pp.91-96 |
| SDM | 2013-10-18 10:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） SDM2013-94 |
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] | SDM2013-94 pp.33-36 |
| RECONF | 2013-09-19 09:00 |
石川 | 北陸先端科学技術大学院大学 | バックゲートバイアス制御技術を用いた低電力リコンフィギャラブルアクセラレータの設計 ○蘇 洪亮・王 蔚涵・天野英晴（慶大） RECONF2013-26 |
近年、大きな Processing Element(PE) array を持っているアクセラレータのリーク電流は深刻な問... [more] | RECONF2013-26 pp.37-42 |
| SCE | 2013-07-22 09:50 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | SFQ論理ゲートにおける信号伝搬時間のバイアス依存性を考慮した最適化 ○大坪樹生・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2013-10 |
単一磁束量子 (SFQ)回路は半導体回路と比べて高速動作可能で、超低消費電力な回路である。しかし、周波数の上昇に伴って発... [more] | SCE2013-10 pp.1-4 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-21 09:55 |
広島 | 広島工業大学 | 基板バイアス制御を用いた超低電圧センスアンプ回路の高速化 ○増田長太郎・廣瀬哲也・大崎勇士・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） ICD2011-22 |
本研究は，センスアンプの性能向上を目的とし，消費電力を増加させることなく 高速動作を実現する手法を提案する．提案するセ... [more] |
ICD2011-22 pp.7-12 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2010-182 MW2010-142 |
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の電流コラプス... [more] | ED2010-182 MW2010-142 pp.41-44 |
| SCE | 2009-10-20 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 動的に再構成可能な単一磁束量子論理ゲートの検討 ○山梨裕希・大河一郎・吉川信行（横浜国大） SCE2009-20 |
信号入力により動的に機能を変えることができる、超伝導単一磁束量子論理ゲートについて検討した。単一磁束量子回路はその高感度... [more] | SCE2009-20 pp.19-23 |
| SS | 2008-10-16 16:10 |
山梨 | 山梨大学甲府キャンパス | 部分的倍精度計算によるGPU上での反復解法の改善 ○藤木史朗・安藤英俊・鳥山孝司（山梨大） SS2008-32 |
高速な数値計算が可能であるGPU上で，幾つかの反復解法が実装されているが，これらは単精度演算でありCPUの倍精度演算より... [more] | SS2008-32 pp.31-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
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