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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 14:20 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT）  ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの... [more] | ED2023-63 MWPTHz2023-73 pp.46-51 |
| NS, RCS (併催) |
2023-12-15 09:00 |
福岡 | 九州工業大学 戸畑キャンパス＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［奨励講演］TCP in IoTにおける二層バッファが輻輳制御に与える影響 ○神崎 惇（関西大）・伊藤暢彦・吉野秀明（日本工大）・山本 幹（関西大） NS2023-139 |
IoTではデバイスへの制約から，トランスポート層に負荷の軽いUDPが用いられてきた．センサデータをクラウドで収集し処理す... [more] | NS2023-139 pp.78-83 |
| CPM | 2022-08-04 14:45 |
北海道 | 北見工業大学 | バッファ層を用いたGGG基板上のBaTiO3の成長と特性 ○蓮見 琉・河野夏輝・中村雄一（豊橋技科大） CPM2022-12 |
我々の研究室では，マルチフェロイック複合膜を用いた磁気光学空間光変調器(MOSLM)の実現に向けて，Bi置換希土類鉄ガー... [more] | CPM2022-12 pp.3-6 |
| OME | 2020-12-25 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
MoO3とMgの反応により生成したMgOを陰極バッファーとして用いるタンデム型有機薄膜太陽電池の開発 ○景山 弘（琉球大） OME2020-14 |
酸化モリブデン (MoO3) と真空蒸着されたマグネシウム (Mg) との反応により生成したMgO陰極バッファーが、タン... [more] | OME2020-14 pp.29-32 |
| CPM | 2017-10-27 15:10 |
長野 | 信州大学 長野(工学)キャンパス Ｅ７棟 3階 研修室 | Cu2ZnSnS4光吸収層およびII-VI系バッファ層の界面制御 ○蓮池玲美・ミョー タンテイ（信州大）・百瀬成空（長野高専）・伊東謙太郎・橋本佳男（信州大） CPM2017-71 |
本稿では，Cu2ZnSnS4光吸収層とCdSベースのII-VI系バッファ層との界面状態を改善すべく，次の2つの方法を調査... [more] | CPM2017-71 pp.23-27 |
| AP (第二種研究会) |
2017-01-26 - 2017-01-27 |
海外 | MJIIT | Simulation of EM Wave using Buffer-Layered Antenna and Orthogonal MIMO Scheme for Groundwater Detection ○Fazilla Hasbullah・Idnin Pasya・Mohd Tarmizi Ali（UiTM） |
Exploration of groundwater has been strongly encouraged to m... [more] | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大） ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 |
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] | ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 pp.27-30 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 |
AlNはワイドギャップ半導体であり，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．本研... [more] | ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 pp.75-78 |
| OME | 2013-05-16 15:10 |
東京 | 機械振興会館 B3F-2 | 塗布型酸化物半導体バッファ層を用いた有機EL素子 高山 健・○中 茂樹・岡田裕之（富山大） OME2013-27 |
陽極バッファ層として溶液プロセスにより酸化物半導体を成膜した有機EL素子について検討した．MoO3を塗布した素子において... [more] | OME2013-27 pp.23-27 |
| OME, SDM (共催) |
2013-04-25 14:55 |
鹿児島 | 屋久島環境文化村センター | 有機半導体PTB7:PC70BMフレキシブルバルクヘテロ接合太陽電池の電極間に挿入したバッファ層の影響 ○柳舘 樹・大関将矢・柳 雄一郎・新井友樹・奥川孝紀・吉田 哲（日大）・藤井俊治郎・片浦弘道（産総研）・西岡泰城（日大） SDM2013-6 OME2013-6 |
ポリ[[4,8-ビス[(2-エチルヘキシル)オキシ]ベンゾ[1,2,-b:4-5-b’]ジチオフェン-2,6-ジル][3... [more] | SDM2013-6 OME2013-6 pp.25-29 |
| OME | 2012-12-05 16:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 陰極バッファー材料としてMoO3を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価 宮城英介・○景山 弘（琉球大）・大森 裕（阪大）・城田靖彦（福井工大） OME2012-82 |
高い正孔移動度を有するアモルファス分子材料、tris[4-(5-phenylthiophen-2-yl)phenyl]a... [more] | OME2012-82 pp.33-35 |
| OME | 2012-11-19 14:15 |
大阪 | 大阪大学中之島センター 講義室３０２ | インピーダンス分光法によるAlq3系有機EL素子のITO-有機層界面へのバッファ層挿入による寿命改善の分析 ○大城朝是・小西将弘・梶井博武（阪大）・大塚岳夫（カネカ協働研）・大森 裕（阪大） OME2012-69 |
Indium-Tin-Oxide(ITO)基板上に正孔輸送層にN,N’-bis(1-naphtyl)-N,N’-diph... [more] | OME2012-69 pp.39-42 |
| NS, OCS, PN (併催) |
2012-06-21 11:40 |
山形 | 山形大学 | 光L2スイッチネットワークの提案 ○服部恭太・中川雅弘・君島直樹・片山 勝・三澤 明・平松 淳（NTT） PN2012-3 |
WDM/TDM-PON技術の進展により、アクセスネットワーク(NW)の広帯域化／ビットあたりの低消費電力化が進んでいく中... [more] | PN2012-3 pp.13-18 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 12:50 |
東京 | 機械振興会館 | 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2011-133 MW2011-156 |
ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの２次元数値解析を行い，耐... [more] | ED2011-133 MW2011-156 pp.81-85 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果 ○野本淳一・平野友康・宮田俊弘・南 内嗣（金沢工大） EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 |
直流マグネトロンスパッタ法を用いて作製するZnO系透明導電膜の基板上での抵抗率分布の改善及び低抵抗率化を目的として、極め... [more] | EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 pp.17-21 |
| LQE, OPE (共催) |
2011-06-30 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性 ○勝野 弘・櫛部光弘・金子 桂・山田真嗣・大場康夫（東芝） OPE2011-20 LQE2011-20 |
近紫外LEDを励起光源として用いた白色LEDは、演色性が高いことで知られているが、電流増大による効率低下が少ない特徴を生... [more] | OPE2011-20 LQE2011-20 pp.25-28 |
| NS, ICM, CQ (併催) |
2010-11-19 13:00 |
京都 | 京都大学 桂キャンパス | 複数無線インタフェース使用時のミドルウェアにおけるバッファ量の評価 ○宮崎悦子・小口正人（お茶の水女子大） NS2010-100 |
無線通信で使用できる帯域は有線での通信と比較していまだ乏しいものが多いのが現状である． そこで使用可能な無線通信を複数... [more] |
NS2010-100 pp.69-74 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-27 11:40 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | 金属装荷導波路型偏光子の数値解析 山内潤治・○中野朋浩・中野久松（法政大） EMD2010-49 CPM2010-65 OPE2010-74 LQE2010-47 |
TEもしくはTM波を選択的に透過させる金属装荷導波路型偏光子の特性を，3次元ビーム伝搬法により検討する．はじめに，等価屈... [more] | EMD2010-49 CPM2010-65 OPE2010-74 LQE2010-47 pp.109-114 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 15:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 |
Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto ... [more] | ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 pp.25-30 |
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