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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 14:30 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 層状半導体InSe結晶の低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性 ○唐 超・佐藤陽平・渡辺克也・大崎淳也・田邉匡生・小山 裕（東北大）  ED2019-79 |
[more] | ED2019-79 pp.13-15 |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| CPM | 2019-02-28 16:35 |
東京 | 電通大 | 分光法と新規デバイスの開発 ○木村康男（東京工科大） CPM2018-112 |
デバイスの動作機構を解明し、その特性に影響を及ぼしている現象を把握することは大変たいせつである。それをもとに、デバイスが... [more] | CPM2018-112 pp.49-52 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 11:10 |
宮城 | 東北大・通研 | 高効率THz波発生に向けた二次元層状化合物半導体GaSe結晶の低温液相成長 ○佐藤陽平・唐 超・渡辺克也・大崎淳也・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2018-66 |
本研究ではTHz波光源用非線形光学結晶として使用するガリウムセレン(GaSe)結晶を溶液成長により作製している．今回は温... [more] | ED2018-66 pp.49-52 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 11:35 |
宮城 | 東北大・通研 | 新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長 ○伊藤孝郁・田邊匡生・小山 裕（東北大） ED2018-67 |
半導体デバイスプロセスにおける半導体結晶の新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。成膜する... [more] | ED2018-67 pp.53-56 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 12:00 |
宮城 | 東北大・通研 | 層状半導体InSe結晶の低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性 ○唐 超・佐藤陽平・渡辺克也・大崎淳也・田邊匡生・小山 裕（東北大） ED2018-68 |
[more] | ED2018-68 pp.57-59 |
| CPM | 2018-03-01 15:45 |
東京 | 東京工科大学 | 結晶作製実験をふりかえって ○高野 泰（静岡大） CPM2017-123 |
25 年間 III-V 族化合物半導体結晶の作製法を探究した。基板と格子定数が異なる層を結晶成長させることに従事した。... [more] | CPM2017-123 pp.31-32 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 16:40 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作 ○中尾 亮・荒井昌和・小林 亘・山本 剛・松尾慎治（NTT） OPE2014-150 LQE2014-137 |
メタモルフィック成長技術は，半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し，通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など... [more] | OPE2014-150 LQE2014-137 pp.59-64 |
| SDM | 2014-11-07 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 ○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大） SDM2014-104 |
LSIの基板として格子間Si原子（I）と原子空孔（V）を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] | SDM2014-104 pp.47-52 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 17:45 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製 ○藤井拓郎・佐藤具就・武田浩司・長谷部浩一・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 |
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] | OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 pp.135-140 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2013-01-24 14:05 |
愛知 | ウィンクあいち | 様々なアクセプタを用いた有機薄膜太陽電池の共蒸発分子誘起結晶化法による光電流向上 ○嘉治寿彦・平本昌宏（分子科学研） |
近年、次世代の低価格太陽電池の候補の一つとして、有機薄膜太陽電池の研究が盛んにされている。 我々は最近、この有機薄膜太... [more] |
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| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 16:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］量子ドットレーザの発展 ～ 提案から市場化までの30年 ～ ○荒川泰彦（東大） OPE2012-19 LQE2012-23 |
1982年に提案された量子ドットレーザは，結晶成長技術とデバイス物理に立脚しこれまで発展してきており，2011年度には5... [more] | OPE2012-19 LQE2012-23 pp.47-52 |
| OME | 2012-05-24 13:30 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | 真空蒸着法によるイオン液体中有機単結晶の育成とFET特性評価 ○武山洋子（東工大）・小野新平（電中研）・松本祐司（東工大） OME2012-20 |
有機単結晶デバイスは近年、高い移動度が報告され注目を集めている。我々は高品質な結晶育成法として溶液を介した真空蒸着法を検... [more] | OME2012-20 pp.7-11 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | マイクロ熱プラズマジェット結晶化におけるアモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いた結晶成長制御 ○藤田悠二・林 将平・東 清一郎（広島大） SDM2012-15 OME2012-15 |
アモルファスシリコン(a-Si)膜上にシリコンウェハにより作製したスリットマスクを配置し、マイクロ熱プラズマジェット(μ... [more] | SDM2012-15 OME2012-15 pp.67-70 |
| PRMU, MVE (共催) CQ, IPSJ-CVIM (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2012-01-20 16:30 |
大阪 | 大阪電気通信大学 寝屋川駅前キャンパス | 高位結晶成長ボロノイ図の構成法とその応用 ○渡邉誠彌・二宮公紀・鹿嶋雅之・佐藤公則・渡邊 睦（鹿児島大） PRMU2011-179 MVE2011-88 |
市街地や住宅街などでの様々な施設配置問題における圏域を求める方法として， ボロノイ図が利用されている．しかし，これらの... [more] |
PRMU2011-179 MVE2011-88 pp.341-346 |
| ED | 2011-12-15 13:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | ［招待講演］テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望 ○平山秀樹・寺嶋 亘・林 宗澤（理研） ED2011-113 |
テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）は、小型・高効率、長寿命、狭線幅、連続出力、安価なテラヘルツレーザ光源と... [more] | ED2011-113 pp.75-78 |
| ED | 2010-12-17 13:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 有機物分子性伝導体TTF-TCNQ単結晶のテラヘルツ物性とその応用 ○大橋隆宏・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2010-171 |
高い電気伝導性を有する有機分子性伝導体は、その電気伝導機構に分子間相互作用が関係していると考えられている。そこで有機伝導... [more] | ED2010-171 pp.73-76 |
| ED | 2009-11-30 14:10 |
大阪 | 大阪科学技術センター | ［招待講演］テラヘルツ波発生用非線形光学結晶の開発 ○吉村政志・松川 建・北岡康夫・森 勇介・斗内政吉（阪大） ED2009-173 |
大きな非線形感受率を持つスチルバゾリウム誘導体DASC，BDAS-TPについて，メタノール系の溶媒を用いて単結晶成長を行... [more] | ED2009-173 pp.75-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 09:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製 ○佐々木 斉・後藤裕輝・碓井 彰（古河機械金属） ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108 |
サファイヤ基板上HVPE成長により{11-22}面GaN層の作製を試みた。2インチｍ面サファイヤ基板上に、MOCVD法に... [more] | ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ ○荒木 努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 |
InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビ... [more] | ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 pp.19-24 |
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