研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
CPM |
2024-02-29 13:45 |
山形 |
山形大学工学部 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果 ○山崎雄也・鈴木裕史・小林康之・中澤日出樹(弘前大) CPM2023-105 |
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)... [more] |
CPM2023-105 pp.38-41 |
ED, MW (共催) |
2024-01-25 14:25 |
東京 |
機械振興会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化 ○吉岡尚輝・畠中 奨・野々田亮平・小島善樹(三菱電機) ED2023-66 MW2023-158 |
GaNの高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor : HEMT)は所... [more] |
ED2023-66 MW2023-158 pp.4-6 |
EA, US (併催) |
2023-12-22 13:00 |
福岡 |
九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 |
[ポスター講演]エピタキシャルZnO犠牲層を用いたc軸傾斜エピタキシャルScAlN自立薄膜共振子 ○小林 栞・柳谷隆彦(早大) US2023-59 |
液体中で使用する薄膜共振子型センサやSH-SAWセンサのS/N比を向上するには高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´... [more] |
US2023-59 pp.18-23 |
EA, US (併催) |
2023-12-22 13:00 |
福岡 |
九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 |
[ポスター講演]エピ犠牲層エッチングを用いたエピ圧電層/音響ブラッグ反射器構造の作製 ○渡海 智・柳谷隆彦(早大) US2023-60 |
B AW (Bulk Acoustic 共振子の圧電層に単結晶薄膜を用いることで、Q 値や耐電力性が向上することが期待で... [more] |
US2023-60 pp.24-29 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:20 |
静岡 |
アクトシティ浜松 |
自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 ○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸 充・川上養一(京大) ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系三次元構造がある.最近当研究室では,レジストパターン転写による基板加工技術... [more] |
ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 pp.36-39 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:45 |
静岡 |
アクトシティ浜松 |
半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ ○福重翔吾・松田祥伸・船戸 充・川上養一(京大) ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 |
InGaN系三次元構造は,単一材料系で可視光全域をカバーする多波長発光素子として有望である.最近我々は,傾斜角が連続的に... [more] |
ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 pp.40-43 |
US |
2023-11-27 16:35 |
静岡 |
静岡大学 |
エピScAlN圧電薄膜/エピ音響ブラッグ反射器構造のSMR ○渡海 智・柳谷隆彦(早大) US2023-55 |
単結晶圧電薄膜は、多結晶の場合に比べ耐電力性やQ値が高いという特徴を持つ。しかし、SMR (Solidly Mounte... [more] |
US2023-55 pp.67-72 |
MRIS, CPM, OME (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2023-10-27 10:30 |
新潟 |
新潟大学(駅南キャンパスときめいと) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性 ○山崎雄也・佐々木祐弥・中澤日出樹(弘前大) MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 |
希釈ガスにH2およびArを用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコンおよび窒素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(S... [more] |
MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 pp.33-36 |
MIKA (第三種研究会) |
2023-10-10 15:35 |
沖縄 |
沖縄県市町村自治会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[ポスター講演]RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造 ○渡海 智・柳谷隆彦(早大) |
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more] |
|
LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-24 15:50 |
宮城 |
東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 ○小林康之(弘前大)・廣木正伸・熊倉一英(NTT) R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である.我々... [more] |
R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 pp.42-44 |
R |
2023-06-15 14:15 |
東京 |
機械振興会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
ソフトウェア信頼性評価のための異常検知手法に基づくフォールト発見数データの変化点検出 ○檀上 心・南野友香・桑野将司(鳥取大)・森山 卓(横浜市大)・井上真二(関西大) R2023-7 |
[more] |
R2023-7 pp.1-6 |
SDM, OME (共催) |
2023-04-22 09:40 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 古賀泰志郎・永野貴弥・茂藤健太・山本圭介・○佐道泰造(九大) SDM2023-7 OME2023-7 |
高性能システムインディスプレイの実現には,高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である.このためSiより高いキャリア... [more] |
SDM2023-7 OME2023-7 pp.27-29 |
SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:00 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 ○角田 功・高倉健一郎(熊本高専) SDM2023-15 OME2023-15 |
本研究室では,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している.金属誘起横方向成長は,金属材料を非... [more] |
SDM2023-15 OME2023-15 pp.55-58 |
IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:15 |
ONLINE |
オンライン開催 (Webex) |
ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果 ○田中京輔・奈良俊宏・矢ヶ崎 司・伊藤里樹・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2022-7 |
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により,a面サファイア基板上に, (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] |
EID2022-7 pp.13-16 |
EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
[ポスター講演]c軸20º傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性 ○岸 大貴(早大)・柳谷隆彦(早大/JST) US2022-62 |
高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´35を持つ圧電薄膜は、液体中で使用する薄膜共振子型センサや表面波センサへの応用... [more] |
US2022-62 pp.62-67 |
EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
[ポスター講演]YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜共振子の特性 ○李 嵩・賈 軍軍・柳谷隆彦(早大) US2022-64 |
AlNやGaN圧電薄膜を用いたバルク弾性波(BAW)共振子は、高い音速と低い機械的損失を持つため、マイクロ波通信用のGH... [more] |
US2022-64 pp.74-79 |
EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
[ポスター講演]LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性 ○工藤慎也・柳谷隆彦(早大) US2022-66 |
LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配... [more] |
US2022-66 pp.86-91 |
CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 13:00 |
愛知 |
ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一(京大) ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系マイクロ構造がある.本研究では,テンプレート上になだらかなマイクロ構造をあ... [more] |
ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 pp.85-88 |
SDM |
2022-11-10 14:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
[招待講演]CrSi薄膜の電気特性のモデリング ○園田賢一郎・白石信仁・前川和義・伊藤 望・長谷川英司・緒方 完(ルネサス エレクトロニクス) SDM2022-67 |
アニール時の相変化と結晶粒成長を考慮してCrSi 薄膜の電気抵抗をモデル化した.結晶粒界を含む複数の材料と結晶相からなる... [more] |
SDM2022-67 pp.14-18 |
OME, SDM (共催) |
2022-04-23 10:20 |
宮崎 |
高千穂ホール(宮崎市) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 ○森本敦己・阿部陸斗・平井杏奈・平井杜和・高倉健一郎・角田 功(熊本高専) SDM2022-10 OME2022-10 |
近年,IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている.しかし,この手... [more] |
SDM2022-10 OME2022-10 pp.47-50 |