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 307件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2024-02-29
13:45
山形 山形大学工学部
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果
山崎雄也鈴木裕史小林康之中澤日出樹弘前大CPM2023-105
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)... [more] CPM2023-105
pp.38-41
ED, MW
(共催)
2024-01-25
14:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化
吉岡尚輝畠中 奨野々田亮平小島善樹三菱電機ED2023-66 MW2023-158
GaNの高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor : HEMT)は所... [more] ED2023-66 MW2023-158
pp.4-6
EA, US
(併催)
2023-12-22
13:00
福岡 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 [ポスター講演]エピタキシャルZnO犠牲層を用いたc軸傾斜エピタキシャルScAlN自立薄膜共振子
小林 栞柳谷隆彦早大US2023-59
液体中で使用する薄膜共振子型センサやSH-SAWセンサのS/N比を向上するには高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´... [more] US2023-59
pp.18-23
EA, US
(併催)
2023-12-22
13:00
福岡 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 [ポスター講演]エピ犠牲層エッチングを用いたエピ圧電層/音響ブラッグ反射器構造の作製
渡海 智柳谷隆彦早大US2023-60
B AW (Bulk Acoustic 共振子の圧電層に単結晶薄膜を用いることで、Q 値や耐電力性が向上することが期待で... [more] US2023-60
pp.24-29
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
16:20
静岡 アクトシティ浜松 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製
宮脇啓嘉松田祥伸船戸 充川上養一京大ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系三次元構造がある.最近当研究室では,レジストパターン転写による基板加工技術... [more] ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61
pp.36-39
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
16:45
静岡 アクトシティ浜松 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ
福重翔吾松田祥伸船戸 充川上養一京大ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62
InGaN系三次元構造は,単一材料系で可視光全域をカバーする多波長発光素子として有望である.最近我々は,傾斜角が連続的に... [more] ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62
pp.40-43
US 2023-11-27
16:35
静岡 静岡大学 エピScAlN圧電薄膜/エピ音響ブラッグ反射器構造のSMR
渡海 智柳谷隆彦早大US2023-55
単結晶圧電薄膜は、多結晶の場合に比べ耐電力性やQ値が高いという特徴を持つ。しかし、SMR (Solidly Mounte... [more] US2023-55
pp.67-72
MRIS, CPM, OME
(共催)
ITE-MMS
(連催) [詳細]
2023-10-27
10:30
新潟 新潟大学(駅南キャンパスときめいと)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性
山崎雄也佐々木祐弥中澤日出樹弘前大MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38
希釈ガスにH2およびArを用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコンおよび窒素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(S... [more] MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38
pp.33-36
MIKA
(第三種研究会)
2023-10-10
15:35
沖縄 沖縄県市町村自治会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造
渡海 智柳谷隆彦早大
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more]
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2023-08-24
15:50
宮城 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用
小林康之弘前大)・廣木正伸熊倉一英NTTR2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である.我々... [more] R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
pp.42-44
R 2023-06-15
14:15
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ソフトウェア信頼性評価のための異常検知手法に基づくフォールト発見数データの変化点検出
檀上 心南野友香桑野将司鳥取大)・森山 卓横浜市大)・井上真二関西大R2023-7
 [more] R2023-7
pp.1-6
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
09:40
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用
古賀泰志郎永野貴弥茂藤健太山本圭介・○佐道泰造九大SDM2023-7 OME2023-7
高性能システムインディスプレイの実現には,高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である.このためSiより高いキャリア... [more] SDM2023-7 OME2023-7
pp.27-29
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
15:00
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長
角田 功高倉健一郎熊本高専SDM2023-15 OME2023-15
本研究室では,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している.金属誘起横方向成長は,金属材料を非... [more] SDM2023-15 OME2023-15
pp.55-58
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2023-01-27
15:15
ONLINE オンライン開催 (Webex) ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果
田中京輔奈良俊宏矢ヶ崎 司伊藤里樹光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2022-7
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により,a面サファイア基板上に, (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] EID2022-7
pp.13-16
EA, US
(併催)
2022-12-22
16:50
広島 サテライトキャンパスひろしま [ポスター講演]c軸20º傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性
岸 大貴早大)・柳谷隆彦早大/JSTUS2022-62
高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´35を持つ圧電薄膜は、液体中で使用する薄膜共振子型センサや表面波センサへの応用... [more] US2022-62
pp.62-67
EA, US
(併催)
2022-12-22
16:50
広島 サテライトキャンパスひろしま [ポスター講演]YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜共振子の特性
李 嵩賈 軍軍柳谷隆彦早大US2022-64
AlNやGaN圧電薄膜を用いたバルク弾性波(BAW)共振子は、高い音速と低い機械的損失を持つため、マイクロ波通信用のGH... [more] US2022-64
pp.74-79
EA, US
(併催)
2022-12-22
16:50
広島 サテライトキャンパスひろしま [ポスター講演]LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性
工藤慎也柳谷隆彦早大US2022-66
LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配... [more] US2022-66
pp.86-91
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-25
13:00
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作
松田祥伸船戸 充川上養一京大ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系マイクロ構造がある.本研究では,テンプレート上になだらかなマイクロ構造をあ... [more] ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76
pp.85-88
SDM 2022-11-10
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CrSi薄膜の電気特性のモデリング
園田賢一郎白石信仁前川和義伊藤 望長谷川英司緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2022-67
アニール時の相変化と結晶粒成長を考慮してCrSi 薄膜の電気抵抗をモデル化した.結晶粒界を含む複数の材料と結晶相からなる... [more] SDM2022-67
pp.14-18
OME, SDM
(共催)
2022-04-23
10:20
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価
森本敦己阿部陸斗平井杏奈平井杜和高倉健一郎角田 功熊本高専SDM2022-10 OME2022-10
近年,IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている.しかし,この手... [more] SDM2022-10 OME2022-10
pp.47-50
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