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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
11:20
静岡 アクトシティ浜松 可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成
森 耀平Baskar Malathi中村篤志静岡大ED2023-28 CPM2023-70 LQE2023-68
人工光合成では,太陽光を利用した CO2 還元において,高い光吸収能,強い酸化還元電位,高い電荷分離性能を有する光触媒を... [more] ED2023-28 CPM2023-70 LQE2023-68
pp.64-67
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
10:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流特性と光応答
寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流(V-I)曲線は,順方向領域と逆方向領域にヒステリシス... [more] ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58
pp.5-10
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
11:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
人工光合成光触媒のためのg-C3N4/SnS2コンポジットの合成
松岡晃汰森 耀平Baskar Malathi中村篤志静岡大ED2022-27 CPM2022-52 LQE2022-60
人工光合成は,太陽光を利用して,光触媒により水と二酸化炭素から価値のあるソーラー燃料へと変換する技術であり,地球温暖化問... [more] ED2022-27 CPM2022-52 LQE2022-60
pp.17-22
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
11:35
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性
志村政英安部功二名工大ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61
あらまし 金属水酸化物は,難燃剤や金属酸化物合成の前駆体として用いられる重要な無機物であり,その多くは電気化学堆積やゾ... [more] ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61
pp.23-26
EE, OME, CPM
(共催)
2021-11-18
15:40
ONLINE オンライン開催 ゾルゲル法による不純物ドープMoOx-Siヘテロ接合太陽電池のI-V特性評価
梶谷翔太渡邊良祐弘前大EE2021-29 CPM2021-47 OME2021-23
シリコンヘテロ接合太陽電池材料として,酸化モリブデンは仕事関数が大きく,また正孔輸送材であることから注目されている.我々... [more] EE2021-29 CPM2021-47 OME2021-23
pp.63-66
SDM, OME
(共催)
2021-04-23
16:50
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上
市川和典松江高専SDM2021-7 OME2021-7
我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ない... [more] SDM2021-7 OME2021-7
pp.26-29
CPM 2021-03-03
11:30
ONLINE オンライン開催 化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnO/Cu₂Oヘテロ接合の作製
大本拓馬寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専CPM2020-64
酸化銅(II)(CuO)薄膜と酸化銅(I)(Cu₂O)薄膜が,それぞれpH 10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用い... [more] CPM2020-64
pp.34-37
MSS, CAS, SIP, VLD
(共催)
2020-06-18
10:50
ONLINE オンライン開催 RF電力増幅器のAM-AM/PM特性の検討
田中 聡村田製作所CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100~400 MHzと広帯域化されるとともに,DC (Dual Connecti... [more] CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3
pp.11-16
SDM, OME
(共催)
2020-04-13
16:20
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上
市川和典松江高専
我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ない... [more]
OME 2020-01-24
13:00
石川 しいのき迎賓館 [招待講演]逆型有機薄膜太陽電池を解体して科学する ~ 逆型OPVを解体して活性層を分析し劣化要因を炙り出す ~
高橋光信金沢大OME2019-59
有機薄膜太陽電池(OPV)の挙動は、OPVが数十から数百ナノメートル次元の積層構造から成り、この構造によって生じる複合的... [more] OME2019-59
pp.1-4
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
CAS, CS
(共催)
2019-03-09
14:35
神奈川 湘南工科大学 携帯電話用ヘテロ接合バイポーラトランジスタ適用電力増幅器の非線形解析
田中 聡村田製作所CAS2018-154 CS2018-122
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100 ~ 400MHzと広帯域化されるとともに,DC (Dual Connect... [more] CAS2018-154 CS2018-122
pp.87-92
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
10:25
愛知 名古屋工業大学 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成
小原翔平・○寺迫智昭難波 優橋国直人愛媛大)・矢木正和香川高専)・野本淳一山本哲也高知工科大ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98
硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法... [more] ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98
pp.55-60
ED, MW
(共催)
2018-01-25
15:10
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 ナノマイクロシステムにおけるマイクロ波励起現象
山口明啓兵庫県立大)・岸原充佳岡山県立大)・竹内雅耶内海裕一兵庫県立大ED2017-93 MW2017-162
ナノマイクロシステムは、理想的な物理・化学・分析化学実験系を提供するだけではなく、Internet of Things ... [more] ED2017-93 MW2017-162
pp.1-5
ED, MW
(共催)
2018-01-25
16:35
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善
白鳥悠太星 拓也井田 実松崎秀昭NTTED2017-96 MW2017-165
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT... [more] ED2017-96 MW2017-165
pp.15-18
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
09:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価
河村祐亮石河泰明内山俊祐奈良先端大)・野瀬嘉太郎京大)・浦岡行治奈良先端大EID2016-10 SDM2016-91
FeS2-pyriteを用いたヘテロ接合型太陽電池の実現を目的として,フラックス法によって作製したFeS2バルク結晶にN... [more] EID2016-10 SDM2016-91
pp.7-10
SDM 2015-06-19
10:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
野口宗隆岩松俊明三浦成久中田修平山川 聡三菱電機SDM2015-41
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] SDM2015-41
pp.17-20
LQE, LSJ
(共催)
2015-05-22
11:25
石川 金沢能楽美術館 結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ
為村成亨菊地健司宮川和典大竹 浩久保田 節NHK)・中田時夫東京理科大)・沖野 徹廣瀬 裕加藤剛久パナソニック)・寺西信一兵庫県立大LQE2015-13
結晶セレン(crystalline selenium: c-Se)を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサ... [more] LQE2015-13
pp.63-67
ED 2014-08-01
11:20
東京 機械振興会館B3-1室 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証
大橋一水藤松基彦宮本恭幸東工大ED2014-54
次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-thres... [more] ED2014-54
pp.7-11
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