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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MSS, CAS, SIP, VLD (共催) |
2020-06-18 10:50 |
ONLINE | オンライン開催 | RF電力増幅器のAM-AM/PM特性の検討 ○田中 聡（村田製作所）  CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3 |
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100~400 MHzと広帯域化されるとともに，DC (Dual Connecti... [more] | CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3 pp.11-16 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・野坂秀之・松崎秀昭（NTT） ED2019-82 |
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] | ED2019-82 pp.23-28 |
| CAS, CS (共催) |
2019-03-09 14:35 |
神奈川 | 湘南工科大学 | 携帯電話用ヘテロ接合バイポーラトランジスタ適用電力増幅器の非線形解析 ○田中 聡（村田製作所） CAS2018-154 CS2018-122 |
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100 ~ 400MHzと広帯域化されるとともに，DC (Dual Connect... [more] | CAS2018-154 CS2018-122 pp.87-92 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2017-96 MW2017-165 |
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT... [more] | ED2017-96 MW2017-165 pp.15-18 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-130 MW2011-153 |
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] | ED2011-130 MW2011-153 pp.63-68 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-13 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 ○山本和也・久留須 整・宮下美代・鈴木 敏・井上 晃（三菱電機） ED2010-176 MW2010-136 |
本報告では，無線通信用に新しく検討した方向性結合器の設計と実験結果について述べる．GaAs-HBTプロセスを用いて検討し... [more] | ED2010-176 MW2010-136 pp.7-12 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 ○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-182 MW2009-165 |
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] | ED2009-182 MW2009-165 pp.43-48 |
| ED | 2009-06-12 10:20 |
東京 | 東京工業大学 | SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング ○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林 嵩・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-46 |
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の高速化にとって、ベースコレクタ間容量$C_{\{BC}}$の削減は重要である... [more] | ED2009-46 pp.51-55 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaAs方向性結合器付き検波回路の検討 ○山本和也・久留須 整・宮下美代・鈴木 敏・小川喜之・中山正敏（三菱電機） ED2008-210 MW2008-175 |
本報告では，無線通信用に新しく検討した方向性結合器付きのGaAs-HBT電力検波器の回路設計と実験結果について述べる．G... [more] | ED2008-210 MW2008-175 pp.71-76 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2008-212 MW2008-177 |
あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超... [more] | ED2008-212 MW2008-177 pp.83-88 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討 ○山本和也・宮下美代・久留須 整・小川喜之・紫村輝之（三菱電機） ED2007-219 MW2007-150 |
本報告では，無線通信用に新しく検討したGaAs-HBT RF電力検波器の回路設計と実験結果について述べる．本検波器は，従... [more] | ED2007-219 MW2007-150 pp.71-76 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール ○宮下美代・奥田敏雄・久留須 整（三菱電機）・島村将一・小西晋輔（Wave Technology）・宇土元純一・松下 良・佐々木喜伸・鈴木 敏・三浦 猛（三菱電機）・高原良雄（ルネサスセミコンダクタエンジニアリング）・小丸真樹雄・山本和也（三菱電機） ED2007-220 MW2007-151 |
本報告では，2.5GHzおよび3.5GHz帯WiMAX用に開発した2つのGaAs-HBT MMIC電力増幅器モジュールの... [more] | ED2007-220 MW2007-151 pp.77-82 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2005-11-03 17:25 |
福岡 | 九州工業大学 | InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC ○柏尾典秀・栗島賢ニ・佐野公一・井田 実・渡邉則之・福山裕之・菅原裕彦・徳光雅美・榎木孝知（NTT） |
InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InP HBT)の全面再成長法により、InP HBTと単一走行キャリアフォトダイ... [more] | OCS2005-56 OPE2005-86 LQE2005-94 pp.43-46 |
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