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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMCJ | 2021-05-14 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 非磁性金属を被覆した不織布の連続導体モデルを用いた電磁ノイズ抑制機構の検討 ○室賀 翔・田中元志（秋田大）・岡村知恵・日下部純一（旭化成）  EMCJ2021-9 |
プリント基板やケーブルなどで生じる予期せぬ電磁ノイズ対策として，薄く，軽量で，柔軟性に優れた高抵抗の非磁性金属を被覆した... [more] | EMCJ2021-9 pp.12-16 |
| EMCJ, IEE-EMC (連催) |
2019-12-13 15:30 |
愛知 | 中京大学 名古屋キャンパス 5号棟524教室 | 金属被覆した不織布の平面電磁波吸収機構に関する検討 ○佐野 巧・室賀 翔・田中元志・倉林 徹・淀川信一（秋田大）・岡村知恵・日下部純一（旭化成）・加藤一史 EMCJ2019-79 |
プリント基板やケーブルなどで生じる予期せぬ電磁ノイズ対策として薄く，軽量で柔軟性に優れた高抵抗の非磁性金属を被覆した不織... [more] | EMCJ2019-79 pp.25-29 |
| EMCJ | 2014-03-14 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 高シート抵抗の金属被覆した不織布を配置したマイクロストリップ線路の伝導ノイズ抑制効果 室賀 翔・○浅妻裕己・山口正洋（東北大）・田中智也・岡村知恵・岡嶋真一・加藤一史（旭化成せんい） EMCJ2013-133 |
プリント配線板のノイズ対策のためのノイズ抑制シートとして，高電気抵抗の不織布が提案されている．本研究では，この高電気抵抗... [more] | EMCJ2013-133 pp.7-10 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大） ED2010-85 SDM2010-86 |
ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、... [more] | ED2010-85 SDM2010-86 pp.149-153 |
| SDM | 2009-10-29 14:30 |
宮城 | 東北大学 | 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2009-118 |
400℃/60 minで形成したPtxHfySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。... [more] | SDM2009-118 pp.7-10 |
| SDM | 2008-10-10 13:30 |
宮城 | 東北大学 | Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2008-162 |
PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行... [more] | SDM2008-162 pp.41-44 |
| SDM | 2007-10-05 14:25 |
宮城 | 東北大学 | Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御 ○大見俊一郎・高 峻・仲野雄介（東工大） SDM2007-189 |
Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御に関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後に、窒素中... [more] | SDM2007-189 pp.53-56 |
| SDM | 2007-10-05 15:25 |
宮城 | 東北大学 | LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 ○遠藤誠一・丸山祥輝・川崎洋司・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ） SDM2007-191 |
本報告では、複数のspike-RTAとLSAの組み合わせに対するBF2 source/drain-extention(S... [more] | SDM2007-191 pp.61-64 |
| EMCJ | 2007-06-22 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 薄膜ノイズ抑制体を模擬した円盤モデルにおける渦電流損失の周波数特性 ○室賀 翔・丸田佳織・島田 寛・山口正洋（東北大） EMCJ2007-28 |
これまで薄膜集積型RFノイズ抑制体において，膜中の損失を最大とするようなシート抵抗の値が存在することを実験ならびに電磁界... [more] | EMCJ2007-28 pp.57-62 |
| EMCJ, MW (共催) |
2006-10-26 11:35 |
青森 | 八戸工業大学 | 薄膜集積型RFノイズ抑制体の効果的利用法に関する考察 ○丸田佳織・室賀 翔・島田 寛・山口正洋（東北大） EMCJ2006-55 MW2006-111 |
伝送線路の高周波ノイズ対策用として薄膜集積型RFノイズ抑制体が開発されている．その損失発生量に強く影響する薄膜のシート抵... [more] | EMCJ2006-55 MW2006-111 pp.25-30 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 13:50 |
北海道 | 函館国際ホテル | LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ）・ドレイン解析用テスト構造 ○大曽根隆志（岡山県立大）・松田敏弘（富山県立大）・岡田和彦・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・岩田栄之（富山県立大） |
LDD構造CMOSFETの（高ドープ/低ドープ）・ドレインの電気的特性を分離して解析するために，種々のゲート間隔Ｓを有す... [more] | SDM2005-137 ICD2005-76 pp.55-60 |
| EMCJ | 2005-06-09 09:45 |
北海道 | 北海道大学学術交流会館 | 磁性薄膜を用いた電磁ノイズ抑制体におけるシート抵抗の影響 ○丸田佳織（東北大）・大沼繁弘・岩佐忠義（電気磁気材料研）・島田 寛・山口正洋（東北大） |
薄膜電磁ノイズ抑制体のシート抵抗の値が，伝送線路内の高周波ノイズ抑制効果に与える影響について実験とFEM電磁界シミュレー... [more] | EMCJ2005-19 pp.1-5 |
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