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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2020-01-31
11:45
東京 機械振興会館 地下3階6号室 コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製
堀切文正福原 昇サイオクス)・渡久地政周三輪和希北大)・成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2019-98 MW2019-132
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] ED2019-98 MW2019-132
pp.25-28
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
15:25
愛知 豊橋技科大VBL GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価
堀切文正成田好伸吉田丈洋サイオクスED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13
フーリエ変換赤外分光(FT-IR)を用いて、自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定を行った。FT-I... [more] ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13
pp.19-22
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