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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:25 |
東京 | 日立中研 | ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 ○南條拓真・小山英寿・今井章文・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機）  ED2018-78 MW2018-145 |
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] | ED2018-78 MW2018-145 pp.55-58 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機） ED2016-110 MW2016-186 |
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダ... [more] | ED2016-110 MW2016-186 pp.75-79 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| ED | 2016-01-20 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 ○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機） ED2015-119 |
GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して... [more] | ED2015-119 pp.43-48 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:00 |
北海道 | 室蘭工業大 | 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器 ○坂田修一・桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・小山英寿・加茂宣卓・福本 宏（三菱電機） MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 |
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を... [more] | MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 pp.1-5 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:25 |
北海道 | 室蘭工業大 | 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・坂田修一・小山英寿・加茂宣卓・安藤晃洋・中原和彦・福本 宏（三菱電機） MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 |
[more] | MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 pp.7-10 |
| MW | 2014-03-05 14:20 |
愛媛 | 愛媛大学 | 入力および出力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 ○内田浩光・半谷政毅・山中宏治・福本 宏・菊池信宏・小山英寿・加茂宣卓（三菱電機） MW2013-219 |
[more] | MW2013-219 pp.129-132 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 ○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治（三菱電機） ED2012-121 MW2012-151 |
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] | ED2012-121 MW2012-151 pp.49-52 |
| MW | 2012-03-01 13:15 |
佐賀 | 佐賀大学 | 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 ○内田浩光・大塚浩志・山中宏治・小山英寿・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-174 |
[more] | MW2011-174 pp.35-40 |
| OPE, MW, MWP, EMT, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-07-22 11:25 |
北海道 | 北見工業大学 | 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・小山英寿・桐越 祐・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-59 OPE2011-46 EST2011-45 MWP2011-27 |
[more] | MW2011-59 OPE2011-46 EST2011-45 MWP2011-27 pp.119-123 |
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