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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
KBSE, SC
(共催)
2020-11-13
15:10
ONLINE オンライン+機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:オンライン開催,副:現地開催)
[ポスター講演]材料データプラットフォームのための協働型材料語彙システム展開
松田朝彦内藤裕幸門平卓也物質・材料研究機構KBSE2020-17 SC2020-21
材料学の分野ごとの用語の差異の吸収や,材料データに付与するメタデータから参照する概念の特定に用いることを想定した材料語彙... [more] KBSE2020-17 SC2020-21
p.32
SDM 2013-10-18
11:00
宮城 東北大学未来研 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ~ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ~
江利口浩二松田朝彦中久保義則鷹尾祥典斧 高一京大SDM2013-95
 [more] SDM2013-95
pp.37-40
SDM 2012-10-25
16:35
宮城 東北大学未来研 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析
松田朝彦中久保義則鷹尾祥典江利口浩二斧 高一京大
プラズマエッチング時のソースドレインエクステンション領域でのSi基板ダメージは,MOSFET劣化の要因として問題となって... [more]
SDM 2011-10-21
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
江利口浩二中久保義則松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-110
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの... [more] SDM2011-110
pp.73-78
SDM 2011-10-21
14:50
宮城 東北大学未来研 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討
中久保義則江利口浩二松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-111
プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化... [more] SDM2011-111
pp.79-84
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