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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMCJ, IEE-EMC (連催) |
2014-06-20 15:45 |
兵庫 | 神戸大 | 磁性薄膜を用いたTEGチップ内の伝導および誘導ノイズ結合解析 ○室賀 翔・樊 鵬・田中 聡（東北大）・北村智満（ルネサスエスピードライバ）・松井浩明（ルネサス エレクトロニクス）・東 直矢・島崎俊介・上坂純平・永田 真（神戸大）・山口正洋（東北大）  EMCJ2014-16 |
[more] | EMCJ2014-16 pp.55-58 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-05 17:15 |
北海道 | サン・リフレ函館 | 高周波能動素子における基板結合の評価とモデリング ○東 直矢・永田 真（神戸大） ICD2013-44 |
MOSFETの基板結合強度モデルを抵抗メッシュネットワークとMOSFET素子のバックゲート結合により広帯域で表現可能であ... [more] | ICD2013-44 pp.125-128 |
| EMCJ, ITE-BCT (連催) |
2013-03-08 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | LTE級RFICにおける新しい帯域内スプリアス抑制法の提案 ～ バックエンドプロセスによる磁性薄膜集積化 ～ ○室賀 翔・遠藤 恭・伊藤哲夫・田中 聡（東北大）・村上元己・堀 和明（ルネサス エレクトロニクス）・高橋 覚（ルネサスモバイル）・東 直矢・永田 真（神戸大）・山口正洋（東北大） EMCJ2012-133 |
[more] | EMCJ2012-133 pp.91-95 |
| ICD | 2009-12-14 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［ポスター講演］CMOS-RF回路における基板結合の評価と解析 ○東 直矢・永田 真（神戸大） ICD2009-83 |
高周波アナログ回路における基板ノイズの影響を, 基板へ直接ノイズを注入することによって評価した。90nm プロセス2.4... [more] | ICD2009-83 pp.39-42 |
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