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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 12:35 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 ○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）  SDM2023-74 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて，量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] | SDM2023-74 pp.1-4 |
| SCE | 2024-01-23 15:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］TCAD技術をベースとした半導体量子ビットシミュレータの開発 ○浅井栄大・飯塚将太・最上 徹・服部淳一・福田浩一・池上 努・加藤公彦・岡 博史・森 貴洋（産総研） |
[more] | |
| SDM | 2023-11-09 15:55 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］シリコン量子ビットの大規模集積化に向けた量子デバイスシミュレータの開発 ○浅井栄大・飯塚将太・最上 徹・服部淳一・福田浩一・池上 努・加藤公彦・岡 博史・森 貴洋（産総研） SDM2023-67 |
[more] | SDM2023-67 pp.20-25 |
| SDM | 2023-11-10 13:10 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］極低温におけるMOSFETのノイズ源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研） SDM2023-70 |
量子計算機に用いられる無数の量子ビットを制御する目的で極低温動作集積回路の開発が求められている。その回路設計にむけて極低... [more] | SDM2023-70 p.35 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 15:25 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研） SDM2023-40 ICD2023-19 |
極低温動作MOSFETは量子ビット制御回路への利用が期待されている。本研究は極低温動作時の低周波ノイズの起源解明を目指す... [more] | SDM2023-40 ICD2023-19 pp.22-27 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 ○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2023-41 ICD2023-20 |
大規模量子コンピュータの実現に向けて，量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている．近年の研... [more] | SDM2023-41 ICD2023-20 pp.28-31 |
| SDM | 2023-06-26 10:50 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2023-28 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させるクライオCMOS技術が期... [more] | SDM2023-28 pp.5-6 |
| SDM | 2022-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-74 |
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] | SDM2022-74 p.49 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-09 11:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-46 ICD2022-14 |
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] | SDM2022-46 ICD2022-14 pp.54-59 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-17 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術 ○飯塚将太・加藤公彦・八木下淳史・浅井栄大・上田哲也・岡 博史・服部淳一・池上 努・福田浩一・森 貴洋（産総研） SDM2021-30 ICD2021-1 |
シリコンスピン量子ビットの高速操作と高い製造ばらつき耐性を同時に実現可能な埋め込み微小磁石の集積構造を提案し、TCADベ... [more] | SDM2021-30 ICD2021-1 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-07 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明 ○岡 博史・松川 貴・加藤公彦・飯塚将太・水林 亘・遠藤和彦・安田哲二・森 貴洋（産総研） SDM2020-6 ICD2020-6 |
シリコン量子コンピューターは半導体微細加工技術を用いた量子ビットの大規模集積化に大きな期待が寄せられている。高性能なシリ... [more] | SDM2020-6 ICD2020-6 pp.25-30 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 10:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価 ○加藤公彦（東大/産総研）・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2019-46 ICD2019-11 |
酸化物半導体／IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け，膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] | SDM2019-46 ICD2019-11 pp.63-66 |
| SDM | 2018-11-08 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2018-66 |
本研究では，超低消費電力な集積回路実現に向け，酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] | SDM2018-66 pp.11-16 |
| SDM | 2018-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2017-92 |
本研究では，酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた，Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] | SDM2017-92 pp.5-8 |
| SDM | 2014-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 ○鈴木陽洋・朝羽俊介・横井 淳・黒澤昌志・加藤公彦・坂下満男・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-45 |
[more] | SDM2014-45 pp.11-16 |
| SDM | 2013-06-18 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御 ○加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-44 |
Higher-kゲート絶縁膜として着目される六方晶Pr酸化膜の実現に向け，Pr酸化膜形成時のH2O分圧（PH2O）やPr... [more] | SDM2013-44 pp.1-6 |
| SDM | 2013-06-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 ○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-45 |
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には，良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成，お... [more] | SDM2013-45 pp.7-11 |
| SDM | 2013-06-18 09:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 ○柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-46 |
現在，Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で，極薄GeOx界面層の形成により，低界面準位密度（Dit）が実現可能と報... [more] | SDM2013-46 pp.13-18 |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| SDM | 2012-06-21 11:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-50 |
本研究では，金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について，酸素化学ポテンシャル... [more] | SDM2012-50 pp.37-42 |
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