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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SCE 2019-08-09
13:55
茨城 産業技術総合研究所 ランダムアクセスメモリにおける超伝導ナノ構造ラインドライバの検討
佐野京佑近藤真生田中雅光名大)・山下太郎名大/JSTさきがけ)・井上真澄名城大)・藤巻 朗名大SCE2019-15
 [more] SCE2019-15
pp.37-41
SCE 2018-10-10
16:15
宮城 東北大学・電気通信研究所 SFQ-CMOSハイブリッドメモリ構築に向けた超伝導ナノ構造トランジスタの設計と評価
佐野京佑丸山晃平田中雅光名大)・山下太郎名大/JSTさきがけ)・井上真澄名城大)・藤巻 朗名大SCE2018-21
 [more] SCE2018-21
pp.25-30
SCE 2017-10-05
11:40
宮城 東北大学 NbTiN超薄膜の評価とナノ構造熱援用デバイスへの応用
佐野京佑鈴木雅斗丸山晃平田中雅光藤巻 朗名大)・井上真澄名城大SCE2017-30
 [more] SCE2017-30
pp.47-52
SCE 2014-01-24
15:30
東京 機械振興会館地下3階2号室 非対称ナノブリッジを利用した高温超伝導デバイスの特性
山本宗範名大)・井上真澄名城大)・藤巻 朗名大SCE2013-56
 [more] SCE2013-56
pp.123-128
SCE 2013-01-24
10:40
岡山 岡山大学 モートの形状による磁束排除効果依存性の数値解析
溝口翔太井上真澄藤巻 朗名大SCE2012-29
 [more] SCE2012-29
pp.25-30
SCE 2012-10-25
15:40
東京 機械振興会館地下3階1号室 モートにおける磁束排除効果の形状依存性の数値解析
溝口翔太伊藤 大井上真澄藤巻 朗名大SCE2012-23
本研究では時間依存 Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値解析することにより,モートを形成した超伝導体薄... [more] SCE2012-23
pp.37-42
SCE 2011-01-24
13:30
東京 機械振興会館 高速光スイッチングデバイス開発に向けたYBCOジョセフソン接合およびナノブリッジの光応答計測
菊田真也金子亮介阪大)・川山 巌阪大/JST)・村上博成阪大)・梶野顕明藤田圭佑安 保宇井上真澄藤巻 朗名大)・斗内政吉阪大SCE2010-42
YBCOジョセフソン接合およびナノブリッジに超短パルスレーザーを照射し、超伝導電流を高速変調する新規な高速スイッチングデ... [more] SCE2010-42
pp.35-40
SCE 2010-10-19
10:15
東京 機械振興会館 非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動
藤田圭佑梶野顕明早川桂太安 保宇井上真澄藤巻 朗名大SCE2010-24
非対称電流-電圧特性が期待される非対称形状YBa2Cu3O7-x (YBCO)ナノブリッジを作製し,単一磁束回路用整流回... [more] SCE2010-24
pp.1-5
SCE 2010-10-19
13:40
東京 機械振興会館 TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析
堤 早希御田村直樹赤池宏之井上真澄藤巻 朗名大SCE2010-29
 [more] SCE2010-29
pp.31-36
SR 2005-07-29
14:20
神奈川 YRP [技術展示] 超伝導ディジタル素子を用いたソフトウエア無線受信機
関谷彰人JST)・西土佳典赤池宏之岡田 啓井上真澄山里敬也藤巻 朗片山正昭名大
 [more] SR2005-34
pp.91-96
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