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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-02-04
16:05
東京 機械振興会館 無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSVへのCuシード層形成
井上史大新宮原正三関西大)・ハロルド フィリップセンIMECSDM2012-156
 [more] SDM2012-156
pp.31-34
SDM 2012-03-05
14:55
東京 機械振興会館 3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成
有馬良平三宅浩志井上史大清水智弘新宮原正三関西大SDM2011-182
貴金属ナノ粒子を触媒として用いた無電解めっき法による,TSVへのバリアメタルのコンフォーマル堆積について検討を行った.無... [more] SDM2011-182
pp.37-40
ED 2009-07-31
11:15
大阪 大阪大学(銀杏会館) Si貫通ビアへの応用に向けた無電解めっき技術の研究
井上史大横山 巧関西大)・山本和広田中秀吉NICT)・新宮原正三関西大ED2009-111
半導体メモリ等の大容量化にはシリコン基板を積層し、チップ間を貫通電極(TSV)で接続する三次元実装が不可欠な技術となって... [more] ED2009-111
pp.47-50
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