| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-01-22 13:00 |
東京 | 東京大学 山上会館 | ［招待講演］低温作製された窒化物薄膜の特性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大）  SDM2015-112 |
[more] | SDM2015-112 pp.17-20 |
| CPM | 2015-11-06 14:55 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 室温成膜したSiNx膜の特性評価 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2015-88 |
[more] | CPM2015-88 pp.23-26 |
| CPM | 2015-08-10 14:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | 絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2015-34 |
[more] | CPM2015-34 pp.15-18 |
| CPM | 2014-10-25 09:40 |
長野 | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 | 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx膜の特性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2014-115 |
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] | CPM2014-115 pp.53-56 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2013-11-27 15:30 |
鹿児島 | 鹿児島県文化センター | ［招待講演］3D/2.5D実装向けチップ間接続微細配線技術 ○谷 元昭・中田義弘・神吉剛司・中村友二（富士通研） VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43 |
[more] | VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43 pp.101-106(VLD), pp.63-68(CPM), pp.63-68(ICD), pp.9-14(CPSY), pp.101-106(DC), pp.21-26(RECONF) |
| CPM | 2013-10-24 16:55 |
新潟 | 新潟大ときめいと | 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・中田義弘・小林靖志・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2013-100 |
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] | CPM2013-100 pp.35-39 |
| SDM | 2013-02-04 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 ～ Metal-Capバリア配線技術 ～ ○神吉剛司・池田淳也・須田章一・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研） SDM2012-155 |
高密度チップ集積技術の要素技術となる低コストの有機樹脂を用いたChip間接続再配線の微細化において，有機樹脂中のハロゲン... [more] | SDM2012-155 pp.25-30 |
| CPM | 2012-08-09 09:50 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・中田義弘・小林靖志・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2012-45 |
3次元LSIにおいては、LSIプロセス後にTSVを作製するビア・ラストプロセスが理想的である。そのためには、絶縁膜である... [more] | CPM2012-45 pp.51-54 |
| SDM | 2011-02-07 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス ○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2010-224 |
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] | SDM2010-224 pp.49-53 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]