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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
13:50
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ
伊豆名雅之小川大也松原 謙帯刀恭彦斉藤朋也武田晃一金田義宣下井貴裕三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスICD2024-6
22nm ロジック混載MRAMプロセスで試作した10.8Mb STT-MRAMメモリセルアレイを搭載したマイコンテストチ... [more] ICD2024-6
pp.18-19
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]10Gbps/Wのネットワークルーティング、40ms CANバス 起動および1.4mWの待機電力を実現する 33k DMIPS・6.4W車載コミュニケーションゲートウェイプロセッサ
島田健市佐野啓一郎福岡一樹森田浩史大東正行亀井達也浜崎博幸島崎靖久ルネサス エレクトロニクスSDM2023-43 ICD2023-22
 [more] SDM2023-43 ICD2023-22
pp.36-40
ICD 2023-04-10
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]高性能IoTマイコン向け22nmロジック混載STT-MRAMの高速読み出し、高速書き換え回路技術の開発
下井貴裕松原 謙斉藤朋也小川大也帯刀恭彦金田義宣伊豆名雅之武田晃一三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスICD2023-2
高性能IoTマイコン向け、22nmロジック混載プロセスにて試作した32Mb STT-MRAMの高精度センスアンプ回路技術... [more] ICD2023-2
p.7
ICD 2023-04-11
15:15
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]MCU向け混載MRAM IP開発の動向
斉藤朋也ルネサス エレクトロニクスICD2023-12
MCU向け混載不揮発メモリとして、近年MRAMをはじめとする様々なEmerging メモリが開発され、その一部では量産が... [more] ICD2023-12
p.29
SDM 2022-11-10
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CrSi薄膜の電気特性のモデリング
園田賢一郎白石信仁前川和義伊藤 望長谷川英司緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2022-67
アニール時の相変化と結晶粒成長を考慮してCrSi 薄膜の電気抵抗をモデル化した.結晶粒界を含む複数の材料と結晶相からなる... [more] SDM2022-67
pp.14-18
SDM 2022-10-19
14:30
ONLINE オンライン開催に変更 CrSiC薄膜抵抗体の微細構造が電気特性に与える影響
伊藤 望前川和義高橋裕治利根川 丘ルネサス エレクトロニクスSDM2022-59
電子機器の小型化の要求を背景に、マイコンとアナログ素子 を 同一 Si基板上へ混載する技術に注目が集まっている。この混載... [more] SDM2022-59
pp.20-23
SDM 2022-01-31
13:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式
斉藤朋也伊藤 孝帯刀恭彦園田賢一郎渡辺源太松原 謙神田明彦下井貴裕武田晃一河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2021-68
16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー... [more] SDM2021-68
pp.1-4
SDM 2021-11-12
10:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析
西村智也永久克己園田賢一郎緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2021-61
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] SDM2021-61
pp.43-46
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]タスク分離型制御のASIL D向け機能安全と60.4TOPS、13.8TOPS/WのCNNアクセラレータを備える12nm自動運転プロセッサ
松原勝重Lieske Hannoルネサス エレクトロニクス)・木村 基Renesas Electronics Europe)・中村 淳小池 学寺島和昭森川 俊堀田義彦入田隆宏望月誠二浜崎博幸亀井達也ルネサス エレクトロニクスSDM2021-39 ICD2021-10
世代の運転支援システムや自動運転システムにおいて、軽量かつ低コストの車載電子制御装置を実現するには、膨大な演算を実現する... [more] SDM2021-39 ICD2021-10
pp.48-53
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-17
11:20
ONLINE オンライン開催 マルチサイクルテストにおけるスキャンパターン削減指向制御ポイントの選定法
環 輝王 森レイ樋上喜信高橋 寛愛媛大)・岩田浩幸前田洋一松嶋 潤ルネサス エレクトロニクスVLD2020-15 ICD2020-35 DC2020-35 RECONF2020-34
 [more] VLD2020-15 ICD2020-35 DC2020-35 RECONF2020-34
pp.24-29
DC 2020-02-26
10:25
東京 機械振興会館 畳み込みニューラルネットワークを活用したLSIテスト不良予測
岡 龍之介大竹哲史大分大)・熊木光一ルネサス エレクトロニクスDC2019-87
近年,LSI は高集積化技術の発展や低価格化を要因として信頼性を保証するテストに関するコストが増大している.これまでに,... [more] DC2019-87
pp.7-12
SDM 2020-02-07
09:35
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
山口 直前川径一大原隆裕天羽生 淳佃 栄次園田賢一郎柳田博史井上真雄松浦正純山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2019-89
 [more] SDM2019-89
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
16:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2019-39 ICD2019-4
28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] SDM2019-39 ICD2019-4
pp.15-19
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:50
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]ISO26262 ASIL-Dをサポートする、次世代自動車アーキテクチャ向けに仮想化支援プロセッサを内蔵した28nm・600MHz車載フラッシュマイクロコントローラ
奥村直人大谷寿賀子大槻典正鈴木康文前田昇平柳田智則小池貴夫伊藤正雄上村 稔島崎靖久服部俊洋阪本憲成近藤弘郁ルネサス エレクトロニクスSDM2019-47 ICD2019-12
自動車の電気電子(E/E)アーキテクチャ進化に伴い、電子制御ユニット(ECU)の統合が求められている。ECU機能の統合に... [more] SDM2019-47 ICD2019-12
pp.67-71
CAS, CS
(共催)
2019-03-08
15:00
神奈川 湘南工科大学 [特別招待講演]車載Ethernetの最新トレンド
帆加利知史北島伸克ルネサス エレクトロニクスCAS2018-145 CS2018-113
自動運転、コネクテッドカーを実現するためにこれまでにない大容量車両内データを処理する手段として、車載システムへのEthe... [more] CAS2018-145 CS2018-113
p.39
SDM 2019-01-29
13:20
東京 機械振興会館 [招待講演]サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発
山口 直張 田田大森和幸島田康弘国宗依信井手 隆井上真雄松浦正純ルネサス エレクトロニクスSDM2018-86
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] SDM2018-86
pp.21-26
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
12:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
五十嵐満彦内田優希高沢義生塚本康正澁谷宏治新居浩二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-47 ICD2018-34
 [more] SDM2018-47 ICD2018-34
pp.109-113
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-48 ICD2018-35
 [more] SDM2018-48 ICD2018-35
pp.115-120
ICD 2018-04-20
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例
澤田陽平山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹藪内 誠ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘伊東恭二日本システムウエア)・田中信二新居浩二蒲原史郎ルネサス エレクトロニクスICD2018-8
 [more] ICD2018-8
pp.29-32
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