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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］ワイヤーボンディング技術を用いた空間配列型微小電極プローブの開発 ○殿村 渉・小西 聡（立命館大）  ICD2013-118 |
半導体チップの実装過程に汎用的に用いられるワイヤーボンディング技術とMEMS技術との高い整合性を利用して実現した空間配列... [more] | ICD2013-118 p.45 |
| CQ | 2014-01-24 10:50 |
東京 | 東京都市大学 | Exploring the Capability of Linux Ethernet Bonding from the Application Perspective ○Hoang Tran Viet・Toan Nguyen Duc（Hanoi Univ. of Science and Tech.）・Kien Nguyen・Quang Tran Minh・Shigeki Yamada（NII） CQ2013-71 |
Linux Ethernet bonding is a feature that allows grouping mul... [more] | CQ2013-71 pp.23-28 |
| LQE | 2013-12-13 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討 ○鈴木純一・福田渓太・林 侑介・姜 晙炫・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2013-129 |
直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、ワンチップ光ルータの実現において有力な方法である。今回、光ルータ... [more] | LQE2013-129 pp.21-26 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 13:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 ○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井 学（新日本無線） ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 |
表面活性化ボンディング法（SAB法）により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合（アニール処理なし、アニール処... [more] | ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 pp.21-25 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 14:20 |
北海道 | サンリフレ函館 | 樹脂固定技術による高信頼性フルバンドチューナブルレーザモジュールの開発 ○有賀麻衣子・菅谷俊雄・秋月一能・中島康雄・新子谷悦宏・木村俊雄（古河電工） R2013-37 EMD2013-43 CPM2013-62 OPE2013-66 LQE2013-36 |
半導体レーザモジュールにおいて、モジュールの小型化と高性能化が求められている。設計の自由度を高めるためには、樹脂接着剤に... [more] | R2013-37 EMD2013-43 CPM2013-62 OPE2013-66 LQE2013-36 pp.45-49 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 17:45 |
北海道 | サンリフレ函館 | 高光損傷耐性位相変調器集積化PPLN導波路を用いた位相感応増幅器の低雑音動作 ○圓佛晃次・梅木毅伺・遊部雅生・竹ノ内弘和（NTT） R2013-45 EMD2013-51 CPM2013-70 OPE2013-74 LQE2013-44 |
位相感応増幅器(PSA)の雑音特性向上に向けて, 高い光パワー耐性を持つ位相変調器をSHG素子にモノリシック集積した光変... [more] | R2013-45 EMD2013-51 CPM2013-70 OPE2013-74 LQE2013-44 pp.85-88 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 13:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］Tera-Scale Three-Dimensional Integration (3DI) using Bumpless TSV Interconnects ○Takayuki Ohba（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2013-70 ICD2013-52 |
[more] | SDM2013-70 ICD2013-52 pp.29-30 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長 ○松本恵一・張 きんきん・金谷佳則・下村和彦（上智大） OPE2013-9 LQE2013-19 |
大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法と... [more] | OPE2013-9 LQE2013-19 pp.13-18 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ ○田中信介・鄭 錫煥・秋山知之・関口茂昭・倉橋輝雄・田中 有・森戸 健（光電子融合基盤技研/富士通研） OPE2013-16 LQE2013-26 |
シリコン(Si)基板上に形成した集積光I/O素子は小型で大規模集積が可能であり、将来のスーパーコンピュータやハイエンドサ... [more] | OPE2013-16 LQE2013-26 pp.49-53 |
| LQE, LSJ (共催) |
2013-05-17 16:35 |
石川 | 金沢大学角間キャンパス | BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一（金沢大） LQE2013-15 |
シリコンゴトニクスを実現するためには，シリコンプラットフォーム上に受発光素子を集積化する技術が必要となる．本研究では，ベ... [more] | LQE2013-15 pp.67-70 |
| OME | 2013-05-16 14:30 |
東京 | 機械振興会館 B3F-2 | 非線型光学色素の超分極率に対するアミノベンゼンドナー部位についたアルキルオキシ基の効果 ○山田俊樹・青木 勲・三木秀樹・大友 明（NICT） OME2013-26 |
近年、電気光学ポリマーは超高速光変調器や光スイッチ、デジタルシグナル伝送、センサーなど様々な応用が期待されている。高効率... [more] | OME2013-26 pp.17-21 |
| NS, IN (併催) |
2013-03-07 09:00 |
沖縄 | 残波岬ロイヤルホテル | 自律分散型コグニティブ無線網における確率的再センシング機構を持つスペクトラム・ハンドオフ機能のスループット性能に対する影響 ○小西康晴・増山博之（京大）・笠原正治（奈良先端大）・高橋 豊（京大） NS2012-165 |
コグニティブ無線とは, 既存のユーザに割り当てられた帯域のうち時間的・空間的に空いている帯域を二次的に利用することで, ... [more] | NS2012-165 pp.1-6 |
| PN, EMT, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2013-01-25 15:05 |
大阪 | 大阪大学吹田キャンパス | スポットサイズ変換器と集積したGaInAsP/InP導波路型光アイソレータ ○蘇武洋平・櫻井一正・庄司雄哉・水本哲弥（東工大） PN2012-68 OPE2012-177 LQE2012-169 EST2012-104 MWP2012-86 |
光アイソレータは一方向に光を伝達し、光能動素子に反射戻り光が入射するのを防ぐデバイスとして重要な働きをする．従来の光アイ... [more] | PN2012-68 OPE2012-177 LQE2012-169 EST2012-104 MWP2012-86 pp.251-256 |
| OPE | 2012-12-21 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 非相反移相効果を用いたシリコン細線導波路型光アイソレータの高アイソレーション動作 ○白土雄也・庄司雄哉・水本哲弥（東工大） OPE2012-135 |
シリコン光集積回路に用いるシリコン細線導波路型光アイソレータについて述べる。磁気光学材料であるCe:YIGを、直接接合技... [more] | OPE2012-135 pp.7-10 |
| OPE | 2012-12-21 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | シリコン導波路型光サーキュレータ ○三矢浩太・庄司雄哉・水本哲弥（東工大） OPE2012-136 |
光サーキュレータは光の入出力ポートに循環関係のある伝達特性を示す非相反デバイスであり，高機能な光回路を構成する上で非常に... [more] | OPE2012-136 pp.11-16 |
| OPE | 2012-12-21 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性 ○李 智恩・山原佳晃・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OPE2012-141 |
Si-LSI上InP系薄膜光集積回路の実現のために、その基本要素である細線導波路とそれを利用した受動素子の設計と作製法の... [more] | OPE2012-141 pp.39-44 |
| LQE | 2012-12-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） LQE2012-128 |
III-V化合物半導体光源をSiチップないし導波路上に形成したハイブリッド型レーザは、光集積回路の実現に有望視されている... [more] | LQE2012-128 pp.31-33 |
| LQE | 2012-12-13 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用 ○林 侑介・長部 亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2012-129 |
直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、次世代大規模光集積回路の実現において有力な方法である。プラズマ活... [more] | LQE2012-129 pp.35-40 |
| US | 2012-08-27 14:30 |
海外 | 釜慶大学校(韓国、釜山) | The influence of bonding layer on the characteristic of piezoelectric polymer transducer ○Yonggang Cao・Kang-Lyeol Ha・Moojoon Kim（Pukyong National Univ.）・Jungsoon Kim（Tongmyong Univ.） US2012-40 |
Piezoelectric polymer film poly(vinylidene fluoride) (PVDF) ... [more] | US2012-40 pp.33-36 |
| SDM | 2012-06-21 15:05 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-56 |
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] | SDM2012-56 pp.69-74 |
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