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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研SDM2016-130
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:30
東京 機械振興会館地下2階1号室 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善
高橋 剛佐藤 優芝 祥一中舍安宏原 直紀岩井大介岡本直哉渡部慶二富士通研ED2016-102 MW2016-178
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] ED2016-102 MW2016-178
pp.29-33
ED 2016-12-20
15:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 共鳴トンネルダイオード発振器を用いた周波数偏波多重テラヘルツ無線通信
大島直到橋本和秀鈴木左文浅田雅洋東工大
周波数偏波多重可能な共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器を作製し、500 GHz帯の偏波多重通信及び500 GHzと8... [more]
MWP 2016-11-14
10:10
東京 機械振興会館 共鳴トンネルダイオードとフォトニック結晶共振器を用いた小型テラヘルツ分光システム
鶴田一魁ローム/阪大)・岡本和馬Sebastian Diebold久武信太郎冨士田誠之永妻忠夫阪大MWP2016-43
小型テラヘルツ分光システムを実現するために,共鳴トンネルダイオードを用いた周波数可変テラヘルツ波発生デバイスとフォトニッ... [more] MWP2016-43
pp.1-5
SCE 2016-08-08
10:55
埼玉 埼玉大(大宮ソニックシティ) 埋め込み型STJの作製と特性に関する評価
森田浩平松本 功埼玉大)・青柳昌宏産総研)・成瀬雅人明連広昭田井野 徹埼玉大SCE2016-13
超伝導トンネル接合(STJ)は高エネルギー分解能を有する次世代のフォトン検出器、例えば材料分析など、高い精度で分析できる... [more] SCE2016-13
pp.9-12
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:30
大阪 中央電気倶楽部 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討
小林正治チャン キュンミン上山 望平本俊郎東大SDM2016-68 ICD2016-36
センサーネットワークを構成するIoTデバイスには,エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more] SDM2016-68 ICD2016-36
pp.127-130
ED 2016-07-24
09:55
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード
新川綾佳脇谷 実前田裕貴塚本貴広須田良幸東京農工大ED2016-33
ガスソース分子線エピタキシー法を用いて作製した,正孔トンネル型Si1-xGex/Si系非対称2重量子井戸共鳴トンネルダイ... [more] ED2016-33
pp.31-34
ED 2016-07-24
11:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器
堀川大輔鈴木左文浅田雅洋東工大ED2016-35
姿勢無依存での大容量テラヘルツ通信を目指し、円偏波を放射可能な新たな共鳴トンネルダイオード(RTD)テラヘルツ(THz)... [more] ED2016-35
pp.41-44
ED 2016-07-24
11:25
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 半導体メサ集積レクテナのテラヘルツ帯検波特性の解析
徳岡岳海須原理彦首都大東京ED2016-36
テラヘルツ帯無線通信実現へ向けて我々が提案した半導体メサ集積レクテナについて時間領域電磁界解析により検波特性と集積構造と... [more] ED2016-36
pp.45-50
SCE 2016-04-20
17:00
東京 機械振興会館 微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性向上を目指したSiO援用Dolan法の提案と評価
徳山貴斗島田 宏・○水柿義直電通大SCE2016-10
2層レジストで形成されるレジスト架橋構造と斜め蒸着を用いるDolan法は,微小トンネル接合の作製方法として広く利用されて... [more] SCE2016-10
pp.55-60
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
SDM 2016-01-28
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
町田友樹守谷 頼佐田洋太山口健洋荒井美穂矢吹直人森川 生増渕 覚東大)・上野啓司埼玉大SDM2015-123
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述... [more] SDM2015-123
pp.13-16
AP 2016-01-15
10:55
東京 拓殖大 八王子キャンパス [チュートリアル講演]レイトレース法の適用範囲と応用
吉敷由起子構造計画研AP2015-180
電波伝搬特性を評価する方法としてレイトレース法によるシミュレーション解析が主流となってきている.レイトレース法の特徴を知... [more] AP2015-180
pp.71-76
ED 2015-12-21
14:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
高橋 剛佐藤 優芝 祥一牧山剛三中舍安宏原 直紀富士通研ED2015-94
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI... [more] ED2015-94
pp.19-23
ED 2015-12-21
15:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出
玉虫 元菅原健太佐藤 昭田島圭一郎吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2015-95
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] ED2015-95
pp.25-30
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
14:15
青森 青森県観光物産館アスパム [招待講演]Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術
前澤宏一中野 純柴田知明森田弘樹坂本 宙山田悟史森 雅之富山大R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
異種材料デバイス集積技術は,これまで蓄積されてきた半導体ナノプロセス技術を新しいアプリケーション分野に展開するために重要... [more] R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
pp.27-32
ED 2015-07-25
11:30
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) 共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ
前澤宏一角谷祐一郎中山大周田近拓巳森 雅之富山大ED2015-46
共鳴トンネルダイオード(RTD)の微分負性抵抗は発振器の基盤であり,これを用いてすでに1THzを越える基本波発振が報告さ... [more] ED2015-46
pp.51-55
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-07-10
16:35
東京 早稲田大学 [招待講演]固体磁気メモリの現状と新材料開発
三谷誠司物質・材料研究機構
MRAMや不揮発ロジックへの応用のための強磁性トンネル接合に係る材料開発の現状を、素子及びデバイス開発の動向・問題点とと... [more]
SCE 2015-04-22
13:55
東京 機械振興会館地下3階2号室 テラヘルツ帯ミキサ応用のためのSi基板上NbNトンネル接合の最適化
牧瀬圭正寺井弘高NICT
我々はテラヘルツ帯応用に向けて窒化ニオブ超伝導ミキサ開発を行っている。本稿では、これまで行ってきたMgO基板上のエピタキ... [more]
ED 2015-04-17
10:55
宮城 東北大通研ナノスピン実験施設 微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性向上を目指したSiO援用Dolan法の提案と評価
徳山貴斗島田 宏・○水柿義直電通大/CREST JSTED2015-13
2層レジストで形成されるレジスト架橋構造と斜め蒸着を用いるDolan法は,微小トンネル接合の作製方法として広く利用されて... [more] ED2015-13
pp.65-70
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