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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
10:55
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]導電性三元硫化物・酸化物蛍光体薄膜を用いた電流注入型発光素子
辻森和樹古賀峻丞石垣 雅大観光徳鳥取大EID2019-13
本研究では CuAlS_2:Mn及び ZnGa_2O_4:Cr多結晶薄膜を用いた電流注入型発光素子の作製を 検討した 。... [more] EID2019-13
pp.117-120
OME 2019-12-20
16:05
佐賀 アバンセ(佐賀市:佐賀駅徒歩10分) 酸化グラフェン・セルロースナノファイバー複合フィルムに対する乾燥条件の検討
林 莉緒菜坂口幸一佐賀大OME2019-44
近年注目を集めるナノ材料に酸化グラフェン(GO)とセルロースナノファイバー(CNF)がある。高い電荷移動度や、熱伝導性、... [more] OME2019-44
pp.37-39
CPM 2019-08-26
14:20
北海道 北見工業大学 1号館2F A-207講義室 スパッタ法によるAZO膜堆積のための導電性酸化物焼結ターゲットの作製
清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎新潟大CPM2019-39
本検討では,1500℃及び1600℃にて焼結させたZnOに2wt.%のAl2O3を添加した導電性を有するAZO焼結体を作... [more] CPM2019-39
pp.9-12
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
11:15
愛知 名古屋工業大学 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価
梅村将成市村正也名工大ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
pp.65-70
CPM 2018-10-03
13:30
東京 機械振興会館 有機金属分解(MOD)法によるTiO2分散型VOx薄膜の作製
ヴァン ニュ ハイ前田幸平防衛大)・河原正美佐村 剛高純度化学研)・立木 隆内田貴司防衛大CPM2018-37
広い温度範囲で動作する高感度なボロメータ検出素子の実現を目指し,MOD 法により Ti のモル比
(xm) を変化させ... [more]
CPM2018-37
pp.1-6
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
13:55
愛知 豊橋技科大VBL Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions
mansoureh keikhaeiMasaya IchimuraNITED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10
Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high ... [more] ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10
pp.5-10
CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2018-03-08
16:40
静岡 東レ総合研修センター [招待講演]FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御
二本正昭大竹 充中大EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72
高い磁気異方性(Ku)を持つL10-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体への応用に向けて積極的な研究開発が行われてい... [more] EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72
pp.31-36
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
浅井佑基本庄周作瘧師貴幸福地 厚有田正志高橋庸夫北大ED2017-104 SDM2017-104
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は,低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] ED2017-104 SDM2017-104
pp.1-6
SCE 2018-01-31
11:20
東京 機械振興会館 収束イオンビーム加工によるYBCO薄膜の特性変化に関する基礎的検討
宮戸祐治阪大SCE2017-35
YBCO薄膜を収束イオンビームで加工すると、超伝導特性を局所的に変化させることができることを利用して、Josephson... [more] SCE2017-35
pp.21-26
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
13:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構
川原崎 匠梅原直己名嘉眞朝泰小南裕子原 和彦静岡大EID2017-30
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて,c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った。ま... [more] EID2017-30
pp.1-4
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
13:40
静岡 静岡大学 浜松キャンパス Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性
増田裕一郎長瀬 剛国枝 航光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2017-31
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法(CVD)により,c面サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)薄膜の... [more] EID2017-31
pp.5-8
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:15
京都 京都大学 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
髙木 瞭龍谷大)・梅田鉄馬奈良先端大)・松田時宜龍谷大)・上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-16 SDM2017-77
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] EID2017-16 SDM2017-77
pp.23-28
OME 2017-12-01
16:40
佐賀 サンメッセ鳥栖 金属グレーティング上有機薄膜の表面プラズモン透過光と高感度センサ応用
加藤景三ラートバチラパイボーン チュティパーン馬場 暁新保一成金子双男新潟大OME2017-47
高性能な有機デバイス・センサの開発に向けて有機薄膜が盛んに研究されている.表面プラズモン(SP)励起を利用した全反射減衰... [more] OME2017-47
pp.59-64
OME 2017-11-17
16:05
大阪 大阪大学中之島センター 結晶成長を伴うペンチルフタロシアニンのバーコート製膜における多形選択性
中谷光宏大森雅志藤井彰彦尾崎雅則阪大OME2017-33
結晶多形を有するペンチルフタロシアニン(C5PcH2)の一軸配向薄膜をバーコート法により作製した。製膜条件の一つとして、... [more] OME2017-33
pp.33-38
MW 2017-11-09
15:15
沖縄 宮古島マリンターミナルビル マイクロ波・ミリ波帯移相器の開発に向けた強誘電体膜材料の検討 ~ 成膜条件の最適化 ~
島 宏美防衛大)・内田 寛上智大)・中嶋宇史東京理科大/JST)・岡村総一郎東京理科大)・福田翔太郎亀井利久防衛大MW2017-125
IoT時代の到来を背景にマイクロ波・ミリ波帯での可変多機能デバイスの開発が求められている。筆者らはこれまで印加電界によっ... [more] MW2017-125
pp.73-77
SDM 2017-10-26
10:50
宮城 東北大学未来研 ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果
女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構/JST)・澤本直美明大)・大井暁彦池田直樹知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2017-57
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] SDM2017-57
pp.39-44
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:50
北海道 北海道大学百年記念会館 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング
木村史哉アブドゥラ ハナキ孫 屹佐々木祥太永山幸希小山政俊前元利彦佐々誠彦阪工大ED2016-132 SDM2016-149
酸化亜鉛(ZnO)は3.37 eVのエネルギーバンドギャップを有するため,可視光領域において透明である.また,次世代ディ... [more] ED2016-132 SDM2016-149
pp.13-16
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2017-01-27
11:34
徳島 徳島大学 Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長
深澤研介長瀬 剛増田裕一郎光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2016-45
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって,c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] EID2016-45
pp.125-128
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-12-09
10:55
愛媛 愛媛大学 Fe-Co-B合金薄膜の構造と磁気特性に及ぼすB組成と膜形成温度の影響
芹澤伽那落合亮真中村将大中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MR2016-39
40 nm厚の(Fe0.7Co0.3)100&#8211;xBx(x = 5, 10, 15 at. %)合金膜を基板温... [more] MR2016-39
pp.57-62
OME 2016-09-30
16:35
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 銀杏会館3F 会議室B 溶液プロセスによるフタロシアニン誘導体配向薄膜の作製と三次元X線結晶構造解析
大森雅志宇野貴志中谷光宏中野知佳藤井彰彦尾崎雅則阪大OME2016-35
non-peripheral型ヘキシルフタロシアニン(C6PcH2)の一軸配向薄膜を溶液プロセスにより作製した。偏光顕微... [more] OME2016-35
pp.13-18
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