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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2017-12-28 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］色素増感太陽電池とペロブスカイト太陽電池の高効率化に向けた界面修飾 ○村上拓郎（産総研）  OME2017-56 |
色素増感太陽電池の高効率化を目的とした再結合抑制機能を付与した色素開発とペロブスカイト太陽電池の高効率化を目的とした電子... [more] | OME2017-56 pp.37-42 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大） ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] | ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 pp.27-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| SDM | 2017-10-25 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2017-54 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2017-54 pp.25-30 |
| SDM | 2017-06-20 16:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 ○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2017-29 |
Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠で... [more] | SDM2017-29 pp.39-42 |
| OME, CPM, EMD (共催) |
2017-06-16 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 並列シーム溶接用平板状3ターンコイルによるAl/Cu薄板の電磁圧接 ○相沢友勝（都立産技高専） EMD2017-9 CPM2017-17 OME2017-13 |
2並列にシーム溶接できる3ターンコイルを用いたAl/Cu薄板の電磁圧接について報告する．間隙を設けて重ねた両薄板は，絶縁... [more] | EMD2017-9 CPM2017-17 OME2017-13 pp.19-24 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 10:25 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング 渡辺時暢（静岡大/富山大）・堀 匡寛・○小野行徳（静岡大） ED2016-131 SDM2016-148 |
チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SO... [more] | ED2016-131 SDM2016-148 pp.7-12 |
| SDM | 2017-02-06 10:05 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu/low-k Structure ○小寺雅子・矢野博之・宮下直人（東芝） SDM2016-139 |
銅配線と低誘電率膜からなるLSI構造（Cu/low-k構造）においてドライエッチング工程後にLow-k膜中のC-H/C-... [more] | SDM2016-139 pp.1-4 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:55 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大） ED2016-103 MW2016-179 |
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] | ED2016-103 MW2016-179 pp.35-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:25 |
京都 | 京大桂キャンパス | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 |
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化... [more] | ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 pp.5-8 |
| SDM | 2016-11-10 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC トレンチ型DMOS（TED MOS）のチャネル特性に関する研究 ○手賀直樹・久本 大・島 明生・嶋本泰洋（日立） SDM2016-80 |
新型SiC トレンチ型DMOSであるtrench-etched double-diffused MOS (TED MOS... [more] | SDM2016-80 pp.9-14 |
| SDM | 2016-11-11 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ～ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ～ ○土屋敏章（島根大） SDM2016-86 |
チャージポンピング(CP)法で，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて，全く新しい視点でト... [more] | SDM2016-86 pp.43-47 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 14:15 |
東京 | 中央大学 | Co_2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現 ○篠原光貴・鈴木隆寛・高村陽太・中川茂樹（東工大） MR2016-16 |
強磁性トンネル接合素子（MTJ）に応用可能なスピン分極率が100％のハーフメタル強磁性体として期待されているCo基フルホ... [more] | MR2016-16 pp.19-24 |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
| SDM | 2016-06-29 15:05 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果 ○速水脩平・豊田智史・福田勝利（京大）・菅谷英生（パナソニック）・森田将史・中田明良・内本喜晴・松原英一郎（京大） SDM2016-42 |
ReRAMの材料設計を行う際の指針として、絶縁層とSi基板の界面バンドオフセットはリーク電流の抑制を考える上で重要なパラ... [more] | SDM2016-42 pp.53-58 |
| SDM | 2016-06-29 16:20 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製 ○川那子高暢・小田俊理（東工大） SDM2016-45 |
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって... [more] | SDM2016-45 pp.69-74 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2016-06-17 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | リジッド及びフレキシブルプリント配線板銅箔の電磁圧接（第2報） ○相沢友勝（都立高専）・杉山善崇（矢崎総業） EMD2016-15 CPM2016-22 OME2016-25 |
リジッド及びフレキシブルプリント配線板の銅箔部分を，間隙を設けて重ね，絶縁された加圧用アルミニウム薄板の上に置く．これら... [more] | EMD2016-15 CPM2016-22 OME2016-25 pp.39-42 |
| OME | 2016-03-03 13:55 |
東京 | 東工大南3号館S322講義室 | イオンアシスト蒸着重合による接着性アクリル高分子薄膜の作製 ○河村 拓・田中邦明・臼井博明（東京農工大） OME2015-87 |
イオンアシスト蒸着重合により種々の基板上に4-hydroxybutyl acrylate glycidylether （... [more] | OME2015-87 pp.5-9 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 16:20 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング ○渡辺時暢・堀 匡寛・小野行徳（富山大） ED2015-125 SDM2015-132 |
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し，100K以下の温... [more] | ED2015-125 SDM2015-132 pp.23-26 |
| US, EA (併催) |
2016-01-28 13:00 |
大阪 | 関西大学 100周年記念会館 | 薄いガラス板における音響エバネッセント波の光学的可視化 ○清水健人・﨑山琢斗・和泉谷日冴・加納康裕・山本 健（関西大） US2015-83 |
入射波が臨界角を超える角度で界面に入射する際，屈折媒質中にはエバネッセント波が生成され，その振幅は指数関数的減衰を示すこ... [more] | US2015-83 pp.1-5 |
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