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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, LSJ (共催) |
2018-05-25 13:25 |
福井 | 芦原温泉清風荘 | 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 ○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓 旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦（上智大）  LQE2018-16 |
我々は，薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し，その基板上にMOVPE法を用いて光デ... [more] | LQE2018-16 pp.25-28 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2017-96 MW2017-165 |
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT... [more] | ED2017-96 MW2017-165 pp.15-18 |
| OPE, LQE (共催) |
2016-06-17 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 ○西山哲央・松本恵一・岸川純也・大貫雄也・鎌田直樹・下村和彦（上智大） OPE2016-12 LQE2016-22 |
直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフ... [more] | OPE2016-12 LQE2016-22 pp.15-20 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 14:15 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ［招待講演］Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術 ○前澤宏一・中野 純・柴田知明・森田弘樹・坂本 宙・山田悟史・森 雅之（富山大） R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36 |
異種材料デバイス集積技術は，これまで蓄積されてきた半導体ナノプロセス技術を新しいアプリケーション分野に展開するために重要... [more] | R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36 pp.27-32 |
| MW | 2015-05-28 16:30 |
東京 | 電気通信大 | ワイドアングル平面扇形アンテナの広帯域特性に関する解析 ○斉藤 昭・金 龍・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2015-26 |
基板上に配置された平面扇型アンテナを取り上げ、導体のなす角度が大きくなると広帯域な特性を示す理由を解析した。アンテナ球内... [more] | MW2015-26 pp.31-36 |
| AP | 2015-04-23 11:20 |
沖縄 | 石垣島 大濱信泉記念館 多目的ホール | マイクロストリップ線路によるSパラメータ法用ジグの検討（その5） ～ 基板端コネクタによる測定値への影響 ～ ○笹森崇行・遠藤和麻・戸花照雄・礒田陽次（秋田県立大） AP2015-10 |
ダイポールアンテナやループアンテナといった平衡給電を行うアンテナの入力インピーダンスを測定する方法としてSパラメータ法が... [more] | AP2015-10 pp.47-50 |
| AP (第二種研究会) |
2014-12-19 11:30 |
鹿児島 | 種子島宇宙センター | マイクロストリップ線路によるSパラメータ法用ジグの検討（その4） ～ 基板端コネクタによる測定値への影響 ～ ○笹森崇行・遠藤和麻・戸花照雄・礒田陽次（秋田県立大） |
ダイポールアンテナやループアンテナといった平衡給電を行うアンテナの入力インピーダンスを測定するためにSパラメータ法と呼ば... [more] | |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-31 10:45 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | InP(110)基板上アサーマルIQ光変調器及び集積化検討 ○小木曽義弘・中西泰彦・金澤 慈・山田英一・田野辺博正・柴田泰夫・神徳正樹（NTT） OCS2014-72 OPE2014-116 LQE2014-90 |
本稿では， InP-IQ光変調器において，初めて高速アサーマル変調動作を低損失に実証したので報告する．(110)面にスラ... [more] | OCS2014-72 OPE2014-116 LQE2014-90 pp.159-162 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光 ○松本恵一・金谷佳則・岸川純也・下村和彦（上智大） OPE2014-15 LQE2014-20 |
直接貼付法を用いて作製されたInP/Si基板上にMOVPE選択成長(Ga)InAs/InP量子ドット構造を導入したアレイ... [more] | OPE2014-15 LQE2014-20 pp.15-18 |
| LQE, LSJ (共催) |
2014-05-22 14:00 |
福井 | 福井大学文京キャンパス | 波長・温度無依存InP(110)マッハ・ツェンダー光変調器 ○小木曽義弘・荒井昌和・山田英一・田野辺博正・柴田泰夫・神徳正樹（NTT） LQE2014-2 |
本稿では， InPマッハ・ツェンダー光変調器において，高速かつ温度・波長無依存な変調動作を低損失に実現したので報告する．... [more] | LQE2014-2 pp.5-8 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 10:45 |
北海道 | サンリフレ函館 | InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ ○三浦広平・猪口康博（住友電工）・河村裕一（阪府大） R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 |
中赤外センサの受光材料として注目を集めているtype-II InAs/GaSb超格子は、結晶成長には通常GaSb基板が使... [more] | R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 pp.19-24 |
| ED | 2013-08-09 09:00 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス ○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-44 |
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] | ED2013-44 pp.33-36 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 16:05 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | バルク制御によるオペアンプの入力同相電圧広域化 ○大澤 衛・範 公可（電通大） SDM2013-85 ICD2013-67 |
低電源電圧のもとで動作するオペアンプの同相入力電圧範囲の広域化について検討する．本研究では， MOS トランジスタのバ... [more] |
SDM2013-85 ICD2013-67 pp.105-110 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長 ○松本恵一・張 きんきん・金谷佳則・下村和彦（上智大） OPE2013-9 LQE2013-19 |
大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法と... [more] | OPE2013-9 LQE2013-19 pp.13-18 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-17 11:20 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 熊崎祐介・神保亮平・谷田部然治・○佐藤威友（北大） ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34 |
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を， pn接合基板に形成した光電流測定素子を用い... [more] | ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34 pp.61-64 |
| OPE (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2013-03-01 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 金属膜と傾斜接合を持つMMI構造による偏波面分離素子の設計 小島啓介（MERL）・○西川智志・柳生栄治（三菱電機）・Wangqing Yuan・Bingnan Wang・秋濃俊昭・Kieran Parsons（MERL） OCS2012-106 OFT2012-82 OPE2012-200 |
InP基板上に作成された、金属膜と傾斜接合を持つMMI（Multi-Mode Interference）による偏波面分離... [more] | OCS2012-106 OFT2012-82 OPE2012-200 pp.51-55(OCS), pp.71-75(OFT), pp.71-75(OPE) |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 17:20 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス ○船山裕晃・渡邉龍郎・道又賢司・和保孝夫・村上 新・下村和彦（上智大） ED2012-136 SDM2012-165 |
電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAs ナノワイヤ をSi基板上に堆積した。InAs ナノワイヤ及びI... [more] | ED2012-136 SDM2012-165 pp.43-46 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires ○Naoaki Takebe・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Yasuyuki Miyamoto・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2010-69 SDM2010-70 |
In this paper, we report the fabrication and device characte... [more] | ED2010-69 SDM2010-70 pp.75-79 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:55 |
北海道 | 北海道大学 | AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-231 SDM2008-223 |
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し，その特性を調べた．作製には微小デバイスブロックの配置... [more] | ED2008-231 SDM2008-223 pp.41-46 |
| ED | 2008-12-19 15:55 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発 ○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・廣瀬達哉（富士通研）・原 直紀（富士通） ED2008-189 |
10 Gb/sを超えるインパルス無線通信装置の実現に向け、70-100 GHzミリ波帯で動作するウェーブレット（波束）送... [more] | ED2008-189 pp.27-32 |
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