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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2006年度)

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2006-06-22
14:40		 広島 広島大学, 学士会館 HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性
○蓮沼　隆・内藤達也（筑波大）・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久夫（筑波大） 		 [more] SDM2006-62
pp.113-117
SDM 2006-06-22
15:05		 広島 広島大学, 学士会館 XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定
○鈴木治彦・長谷川　覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） 		MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO2... [more] SDM2006-63
pp.119-124
SDM 2006-06-22
15:30		 広島 広島大学, 学士会館 Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE（Fully Germanided）電極の仕事関数決定要因の考察
○土屋義規・吉木昌彦・木下敦寛・小山正人・古賀淳二・西山　彰（東芝） 		ゲート電極のメタル化技術（メタルゲート技術）における技術的課題である仕事関数（Φeff）制御について、我々の最近の検討結... [more] SDM2006-64
pp.125-130
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